[发明专利]一种香豆素类聚合物半导体激光材料的制备方法

权利要求书

1.一种香豆素类聚合物半导体激光材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)4-苯基-7-羟基香豆素的制备：在一水硫酸氢钠存在下，间苯二酚和苯甲酰乙酸乙酯回流反应，即得4-苯基-7-羟基香豆素；

反应式为：

(2)丙烯酸-4-苯基-7-羟基香豆素酯的制备：在对苯二酚存在下，丙烯酸、二氯亚枫10mL反应，得丙烯酰氯；在三乙胺存在下，4-苯基-7-羟基香豆素和丙烯酰氯反应，得丙烯酸-4-苯基-7-羟基香豆素酯；反应式为：

(3)香豆素类聚合物的制备：氮气气氛中，在引发剂存在下，丙烯酸-4-苯基-7-羟基香豆素酯、4-硝基-4'-乙酰胺基-3'-甲酯基二苯乙烯反应，即得；其中，丙烯酸-4-苯基-7-羟基香豆素酯、4-硝基-4'-乙酰胺基-3'-甲酯基二苯乙烯的摩尔比为1:1；

反应式为：

2.根据权利要求1所述的一种香豆素类聚合物半导体激光材料的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，一水硫酸氢钠、间苯二酚和苯甲酰乙酸乙酯的摩尔比为(0.10-0.20)：1：(1-2)，反应时间为10-20min。

3.根据权利要求1所述的一种香豆素类聚合物半导体激光材料的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，丙烯酰氯的制备反应中，丙烯酸、二氯亚枫的用量比为(40-60)mmol：10mL，反应温度为30-50℃，反应时间为1-3h；丙烯酸-4-苯基-7-羟基香豆素酯的制备反应中，丙烯酰氯、4-苯基-7-羟基香豆素、三乙胺的摩尔比为：(4-6)：2：

(3-4)，反应温度为室温，反应时间为3-5h。

4.根据权利要求1所述的一种香豆素类聚合物半导体激光材料的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，引发剂为AIBN；反应温度为70-80℃，反应时间为20-30h。

5.根据权利要求1所述的一种香豆素类聚合物半导体激光材料的制备方法，其特征在于：该香豆素类聚合物半导体激光材料的熔点在220.8以上。

6.根据权利要求1所述的一种香豆素类聚合物半导体激光材料的制备方法，其特征在于：该香豆素类聚合物半导体激光材料的PL发射峰在482-548nm之间。

7.根据权利要求1所述的一种香豆素类聚合物半导体激光材料的制备方法，其特征在于：该香豆素类聚合物半导体激光材料的PL发射峰的半峰全宽在4.9nm以下。

8.根据权利要求1所述的一种香豆素类聚合物半导体激光材料的制备方法，其特征在于：该香豆素类聚合物半导体激光材料的增益系数在91-98cm^-1之间。