[发明专利]一种香豆素类聚合物半导体激光材料及其应用有效
| 申请号： | 201810015618.3 | 申请日： | 2018-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN107987209B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 陆知纬 | 申请（专利权）人： | 无锡佶达德光电子技术有限公司 |
| 主分类号： | C08F220/30 | 分类号： | C08F220/30;C08F212/32;H01S5/36 |
| 代理公司： | 南京中律知识产权代理事务所(普通合伙) 32341 | 代理人： | 沈振涛 |
| 地址： | 214191 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 香豆素 类聚 半导体 激光 材料 及其 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种香豆素类聚合物半导体激光材料，其结构式为：
m，n分别代表单体的个数；
其中，所述香豆素类聚合物半导体激光材料的制备方法，包括以下步骤：
氮气气氛中，在引发剂存在下，丙烯酸-4-苯基-7-羟基香豆素酯、4-硝基-4'-乙酰胺基-3'-甲酯基二苯乙烯反应，即得；反应式为：
丙烯酸-4-苯基-7-羟基香豆素酯、4-硝基-4'-乙酰胺基-3'-甲酯基二苯乙烯的摩尔比为1:1；引发剂为偶氮二异丁腈；反应温度为70-80℃，反应时间为20-30h。
2.根据权利要求1所述的一种香豆素类聚合物半导体激光材料，其特征在于：该香豆素类聚合物半导体激光材料的熔点在220.8以上。
3.根据权利要求1所述的一种香豆素类聚合物半导体激光材料，其特征在于：该香豆素类聚合物半导体激光材料的PL发射峰在482-548nm之间。
4.根据权利要求1所述的一种香豆素类聚合物半导体激光材料，其特征在于：该香豆素类聚合物半导体激光材料的PL发射峰的半峰全宽在4.9nm以下。
5.根据权利要求1所述的一种香豆素类聚合物半导体激光材料，其特征在于：该香豆素类聚合物半导体激光材料的增益系数在91-98cm-1之间。
6.权利要求1所述的香豆素类聚合物半导体激光材料在激光器中的应用。
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