[发明专利]集成光学开关有效
申请号: | 201780094476.8 | 申请日: | 2017-08-29 |
公开(公告)号: | CN111492583B | 公开(公告)日: | 2023-09-29 |
发明(设计)人: | H·泽格芒特;D·派彻;S·勒图尔;J-F·鲁;J-L·库塔 | 申请(专利权)人: | 意法半导体有限公司 |
主分类号: | H03K17/78 | 分类号: | H03K17/78;G01R13/34;H01L31/08 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 董莘 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 集成 光学 开关 | ||
1.一种集成的光学开关,在半导体衬底中和半导体衬底上制造,集成的所述光学开关包括:光电导体体部(PC),所述光电导体体部(PC)包括:第一端(1)和第二端(2),所述第一端(1)被配置为接收电输入信号,所述第二端(2)被配置为递送电输出信号,所述光电导体体部(PC)被配置为具有电接通状态和电关断状态,所述电接通状态通过存在光学信号(SO)来激活,并且所述电关断状态通过不存在光学信号(SO)来激活,其中从所述第一端到所述第二端的方向限定了纵向方向(D3),并且所述光电导体体部具有与所述纵向方向(D3)正交的横截面,所述横截面沿所述纵向方向(D3)从所述第一端(1)向所述第二端(2)减小。
2.根据权利要求1所述的光学开关,其中所述光电导体体部(PC)的所述横截面沿着逐渐减小的包络(E)而逐渐减小。
3.根据权利要求2所述的光学开关,其中所述横截面具有沿第一方向(D1)呈现的第一尺寸,沿与所述第一方向(D1)正交的第二方向(D2)呈现的第二尺寸,并且所述光电导体体部(PC)的所述横截面的所述第一尺寸逐渐减小,所述第二尺寸保持恒定。
4.根据权利要求3所述的光学开关,其中所述第一尺寸是所述横截面的宽度,所述横截面的所述宽度平行于所述衬底的上表面被测量,所述第二尺寸是所述横截面的高度,所述横截面的所述高度垂直于所述衬底的所述上表面被测量。
5.根据权利要求3至4中的任一项所述的光学开关,其中所述光电导体体部(PC)的所述第一尺寸沿所述包络(E)阶梯式地减小,所述包络(E)在所述纵向方向(D3)上随相对于所述第一端(1)的距离而线性地减小。
6.根据权利要求3至4中任一项所述的光学开关,其中所述光电导体体部(PC)的所述第一尺寸沿所述包络(E)阶梯式地减小,所述包络(E)在所述纵向方向(D3)上随相对于所述第一端(1)的距离而指数地减小。
7.根据权利要求6所述的光学开关,其中所述光电导体体部(PC)的所述包络(E)的所述第一尺寸随如下项的乘积而指数地减小:所述光电导体体部(PC)的吸收系数(α)和在所述纵向方向(D3)上相对于所述第一端(1)的所述距离。
8.根据权利要求5所述的光学开关,其中所述光电导体体部(PC)包括多个并置的部分(p),多个并置的所述部分沿所述纵向方向(D3)被布置在所述第一端(1)和所述第二端(2)之间,所述部分(p)被配置为使得在所述第一方向(D1)上测量的所述部分(p)的相应横截面的所述第一尺寸随着阶梯而减小。
9.根据权利要求3至4中的任一项所述的光学开关,其中所述光学信号在所述第一端(1)处被递送,并且旨在沿所述纵向方向(D3)传播。
10.根据权利要求3至4中的任一项所述的光学开关,其中所述衬底(S)是绝缘体上硅衬底,所述绝缘体上硅衬底包括在掩埋绝缘层(30)上制造的半导体膜,所述掩埋绝缘层(30)是在载体衬底(31)上制造的,所述第一方向(D1)与所述掩埋绝缘层(30)平行,并且所述第二方向(D2)与所述掩埋绝缘层正交,并且所述光电导体体部(PC)是在所述半导体膜中制造的。
11.一种集成电子电路,包括:至少一个根据前述权利要求中的任一项所述的光学开关(DIS)。
12.根据权利要求11所述的电路,所述电路是采样保持电路(EB)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体有限公司,未经意法半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780094476.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:功能复合粒子及其制备方法
- 下一篇:流体分流器