[发明专利]蚀刻方法

说明书

一种使用熔融碱来蚀刻基板的蚀刻方法，使用处于预定高温区域的熔融碱AL，一边在高温且含氧的环境下在基板PL的被蚀刻面形成氧化被膜，一边通过对被蚀刻面进行各向同性蚀刻从而除去氧化被膜。

技术领域

本发明涉及一种使用熔融碱来蚀刻基板的蚀刻方法。

背景技术

在半导体的制造等中，广泛进行将SiC(碳化硅)等基板蚀刻来进行缺陷检测。需要说明的是，SiC基板由于其优异的特性因此作为下一代的功率半导体基板而备受期待。

从制造高性能且成品率高的半导体装置方面出发，在基板上形成损伤少的良好表面是很重要的。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-22677号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，为了在基板上形成损伤少的良好表面，存在所需的处理工序数多、且花费大量时间和成本这样的课题。另外，由于为了得到无缺陷的状态需要进行精密的研磨加工，因此所需的处理工序数变多，这也是成为花费大量时间和成本的主要原因。

特别是由于SiC基板为高硬度、且是除了一部分的化学试剂以外化学稳定的难加工材料、难削材料，因此研磨、磨削需花费时间，这些课题变得更加显著。

鉴于上述课题，本发明的课题在于提供一种能够在不存在蚀刻坑的状态下进行蚀刻，作为结果能够制造具有不存在缺陷的表面状态和镜面的晶片的蚀刻方法。

用于解决课题的方法

为了解决上述课题，本发明人等反复研究，着眼于利用熔融碱(已熔融的碱)进行的调查SiC晶片的缺陷的方法。该方法是检测存在于SiC晶片表面附近的缺陷的方法，通过将SiC晶片浸渍于熔融碱中，从而能以蚀刻坑的形式观察到缺陷。

然后，通过反复研究实验，发现：通过不将基板浸渍于熔融碱中，而是一边成型氧化被膜一边连续地进行蚀刻，从而能够得到不存在蚀刻坑的镜面的晶片。然后，进一步反复实验并进行研究，以至完成了本发明。

用于解决上述课题的本发明的一个形态为一种蚀刻方法，其为使用熔融碱来蚀刻基板的蚀刻方法，使用处于预定高温区域的上述熔融碱，一边在高温且含氧的环境下在上述基板的被蚀刻面形成氧化被膜，一边通过对上述被蚀刻面进行各向同性蚀刻来除去上述氧化被膜。由此，能够实现能在不存在蚀刻坑的状态下进行蚀刻，作为结果能够制造不存在缺陷的表面状态和镜面的晶片的蚀刻方法。

可以通过将上述基板的氧化速度设为上述氧化被膜的溶解速度以上，从而对上述被蚀刻面进行上述各向同性蚀刻。

作为上述高温且含氧的环境下，可以设为在大气中使用上述熔融碱的环境下。

作为上述高温且含氧的环境下，可以设为在将氧气供给至上述被蚀刻面的空间中使用上述熔融碱的环境下。

可以通过使上述熔融碱流到上述基板的被蚀刻面从而除去上述氧化被膜。

在这种情况下，在使上述熔融碱流到上述被蚀刻面时，可以使上述被蚀刻面处于上表面侧且使上述基板相对于水平面倾斜预定角度，使上述熔融碱从上述被蚀刻面的上部侧向下部侧流动。

作为上述熔融碱，可以使用熔融氢氧化钠(已熔融的氢氧化钠)。

上述预定高温区域可以设为650℃以上。

作为上述基板可以使用SiC基板。