[发明专利]蚀刻方法

权利要求书

1.一种蚀刻方法，使用处于预定高温范围的熔融碱，一边在高温且含氧的环境下在基板的被蚀刻面形成氧化被膜，一边通过对所述被蚀刻面进行各向同性蚀刻来除去所述氧化被膜，

通过将所述基板的氧化速度设为所述氧化被膜的溶解速度以上，从而对所述被蚀刻面进行所述各向同性蚀刻，

通过使所述熔融碱流到所述基板的被蚀刻面，从而除去所述氧化被膜。

2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，作为所述高温且含氧的环境下，设为在大气中使用所述熔融碱的环境下。

3.根据权利要求1所述的蚀刻方法，作为所述高温且含氧的环境下，设为在将氧气供给至所述被蚀刻面的空间中使用所述熔融碱的环境下。

4.根据权利要求1所述的蚀刻方法，在使所述熔融碱流到所述被蚀刻面时，使所述被蚀刻面处于上表面侧且使所述基板相对于水平面倾斜预定角度，使所述熔融碱从所述被蚀刻面的上部侧向下部侧流动。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的蚀刻方法，作为所述熔融碱，使用熔融氢氧化钠。

6.根据权利要求5所述的蚀刻方法，将所述预定高温范围设为650℃以上。

7.根据权利要求1~4中任一项所述的蚀刻方法，作为所述基板，使用SiC基板。

8. 根据权利要求7所述的蚀刻方法，进行如下工序：在SiC晶体构件的被照射面上非接触地配置将激光聚光的激光聚光器的工序；

使用所述激光聚光器，对所述被照射面照射激光，将所述激光聚光于所述SiC晶体构件内部，并且使所述激光聚光器与所述SiC晶体构件相对地移动，在所述SiC晶体构件内部形成二维状的改性层的工序；以及

通过将由所述改性层分割而成的晶体层从所述改性层剥离，从而形成SiC晶体基板的工序，

所述蚀刻方法中，将通过所述剥离得到的所述SiC晶体基板用作所述SiC基板。