[发明专利]具有高近场对比率的LED模块有效
申请号: | 201780077652.7 | 申请日: | 2017-12-08 |
公开(公告)号: | CN110050353B | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | G.巴辛;A.贝尔耶夫;L.科索夫斯基;吴毅贤 | 申请(专利权)人: | 亮锐控股有限公司 |
主分类号: | H01L33/46 | 分类号: | H01L33/46;H01L33/56;H01L33/50;H01L33/60;H01L25/075 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 陈俊;刘鹏 |
地址: | 荷兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 近场 比率 led 模块 | ||
1.一种制造发光二极管模块(100)的方法,所述方法包括以下步骤:
-在载体结构(40)上布置至少一个发光二极管结构(10),
-借助模套(50)将所述至少一个发光二极管结构(10)包围在腔中,使得所述至少一个发光二极管结构(10)的发光区域(11)被保护表面(52)覆盖,
-在所述腔中提供流体模塑物料(60),使得所述发光二极管结构(10)的侧表面的至少一部分被所述流体模塑物料(60)覆盖,并且使得形成用于反射经由所述至少一个发光二极管结构(10)的光转换结构(1)的发光区域(11)发射的光的反射器表面(72),
-硬化模塑物料(60),使得背反射表面(74)直接附接到所述发光二极管结构(10)的所述侧表面的所述部分,
-其中所述保护表面(52)覆盖所述发光二极管结构(10)和所述发光二极管结构(10)的顶表面,所述发光二极管结构(10)的顶表面是所述发光二极管结构(10)的发光区域(11),使得在所述发光二极管结构(10)的所述发光区域(11)上不存在硬化的物料材料,以及
-其中所述模套(50)被布置成通过提供和硬化所述流体模塑物料(60)来提供集成反射器布置(70),其中所述集成反射器布置(70)包括背反射表面(74)和用于反射经由所述至少一个发光二极管结构(10)的所述发光区域(11)发射的光的反射器表面(72)。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述保护表面(52)由所述模套(50)包括。
3.如权利要求1或2所述的方法,其中所述流体模塑物料(60)被压入所述腔中,其中在提供所述流体模塑物料(60)期间所述腔中的压强低于1Pa。
4.一种发光二极管模块(100),包括:
-至少一个发光二极管结构(10),其中所述至少一个发光二极管结构(10)包括发光二极管管芯和光转换结构(1),其中所述光转换结构(1)附接到所述发光二极管管芯的发光侧,并且其中所述至少一个发光二极管结构(10)的发光区域(11)是所述光转换结构(1)的表面,
-集成反射器布置(70),其中所述集成反射器布置(70)包括用于反射经由所述至少一个发光二极管结构(10)的发光区域(11)发射的光的反射器表面(72),其中所述集成反射器布置(70)还包括用于将经由所述发光二极管结构(10)的侧表面发射的光漫反射回到所述发光二极管结构(10)的背反射表面(74),并且其中所述背反射表面(74)直接附接到所述发光二极管结构(10)的所述侧表面的至少一部分,使得在所述发光二极管模块(100)的操作期间,减少借助所述发光二极管结构(10)的所述侧表面发射杂散光,其中所述背反射表面(74)至少延伸到所述至少一个发光二极管结构(10)的发光区域(11)的水平位置,使得所述光转换结构(1)的上表面和直接在所述至少一个发光二极管结构(10)的发光区域(11)周围的所述集成反射器布置(70)的一部分建立一个共同平坦表面。
5.如权利要求4所述的发光二极管模块(100),其中所述集成反射器布置(70)被布置成在所述至少一个发光二极管结构(10)的所述光转换结构(1)的发光区域(11)外侧提供骤然亮度截止,使得在所述发光二极管模块(100)的操作期间,近场对比度是至少150。
6.如权利要求4或5中任一项所述的发光二极管模块(100),其中所述背反射表面(74)的特征在于至少95%的反射率。
7.如权利要求4或5中任一项所述的发光二极管模块(100),其中所述集成反射器布置(70)包括包含负载有氧化物颗粒的硅树脂的材料,其中所述氧化物颗粒包括从以下组中选择的至少一种氧化物:SiO2、TiO2、ZrO2、Y2O3、Al2O3。
8.如权利要求7所述的发光二极管模块(100),其中所述硅树脂负载有SiO2和TiO2的混合物。
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