[发明专利]电阻式随机存取存储器单元

权利要求书

1.一种电阻式随机存取存储器单元，包括：

第一电阻式随机存取存储器装置，所述第一电阻式随机存取存储器装置具有离子源层和固体电解质层；

第二电阻式随机存取存储器装置，所述第二电阻式随机存取存储器装置具有离子源层和固体电解质层并且与所述第一电阻式随机存取存储器装置串联连接，使得两个离子源层或两个固体电解质层彼此相邻；和

第三电阻式随机存取存储器装置，所述第三电阻式随机存取存储器装置具有离子源层和固体电解质层并且与所述第一电阻式随机存取存储器装置和所述第二电阻式随机存取存储器装置串联连接；

其中，所述第一电阻式随机存取存储器装置、所述第二电阻式随机存取存储器装置和所述第三电阻式随机存取存储器装置被包括在单个电阻式随机存取存储器单元中。

2.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器单元，其中所述第二电阻式随机存取存储器装置与所述第一电阻式随机存取存储器装置串联连接，使得两个离子源层彼此相邻。

3.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器单元，其中所述第二电阻式随机存取存储器装置与所述第一电阻式随机存取存储器装置串联连接，使得两个固体电解质层彼此相邻。

4.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器单元，其中所述第一电阻式随机存取存储器装置，所述第二电阻式随机存取存储器装置和所述第三电阻式随机存取存储器装置均形成在同一对相邻金属互连层的区段之间。

5.一种集成电路中的可编程电路配置，包括：

第一电路节点；

第二电路节点；

电阻式随机存取存储器单元，所述电阻式随机存取存储器单元连接在所述第一电路节点和所述第二电路节点之间，所述电阻式随机存取存储器单元包括：

第一电阻式随机存取存储器装置，所述第一电阻式随机存取存储器装置具有离子源层和固体电解质层；

第二电阻式随机存取存储器装置，所述第二电阻式随机存取存储器装置具有离子源层和固体电解质层并且与所述第一电阻式随机存取存储器装置串联连接，使得两个离子源层或两个固体电解质层彼此相邻；和

第三电阻式随机存取存储器装置，所述第三电阻式随机存取存储器装置具有离子源层和固体电解质层并且与所述第一电阻式随机存取存储器装置和所述第二电阻式随机存取存储器装置串联连接；

其中所述第一电阻式随机存取存储器装置、所述第二电阻式随机存取存储器装置和所述第三电阻式随机存取存储器装置被包括在单个电阻式随机存取存储器单元中。

6.根据权利要求5所述的可编程电路配置，其中所述第二电阻式随机存取存储器装置与所述第一电阻式随机存取存储器装置串联连接，使得两个离子源层彼此相邻。

7.根据权利要求5所述的可编程电路配置，其中所述第二电阻式随机存取存储器装置与所述第一电阻式随机存取存储器装置串联连接，使得两个固体电解质层彼此相邻。

8.根据权利要求5所述的可编程电路配置，其中所述第一电阻式随机存取存储器装置，所述第二电阻式随机存取存储器装置和所述第三电阻式随机存取存储器装置均形成在同一对相邻金属互连层的区段之间。

9.根据权利要求5所述的可编程电路配置，其中所述第一电路节点是可编程集成电路中的互连导体。

10.根据权利要求9所述的可编程电路配置，其中所述第二电路节点是可编程集成电路中的互连导体。

11.根据权利要求5所述的可编程电路配置，其中：

所述第一电路节点是多路复用器的输入节点；并且

所述第二电路节点是所述多路复用器的输出。

12.根据权利要求5所述的可编程电路配置，其中：

所述第一电路节点是承载表示逻辑电平的恒定电压的电路节点；并且

所述第二电路节点是查找表的可寻址节点。