[发明专利]产生离子能量分布函数(IEDF)

权利要求书

1.一种用于处理晶片的方法，包括以下步骤：

向工艺腔室的电极施加负跳变电压来为晶片设定晶片电压；和

以不同幅度来调制所述晶片电压的幅度以产生具有不同幅度的多个脉冲串的列，并且重复所述多个脉冲串的所述列来产生离子能量分布函数，所述离子能量分布函数具有多于一个能量峰值，每个脉冲串由相同幅度的脉冲组成，

其中由每个脉冲串在特定幅度处的脉冲的相对数量确定与所述特定幅度对应的离子能量处的相对离子比例，

所述能量峰值中的每一个能量峰值的离子比例由在所述不同幅度处对所述晶片电压的相应调制期间产生的脉冲的数量来确定，

由具有所述特定幅度的所述列内的脉冲串的相对数量确定在特定能量下离子的相对部分，并且由所述脉冲串中的脉冲的负跳变幅度确定离子能量。

2.如权利要求1所述的方法，包括以下步骤：

向所述工艺腔室的所述电极施加正跳变电压以中和所述晶片的表面。

3.如权利要求1所述的方法，其中调制所述晶片电压的所述幅度以产生期望的离子能量分布函数，以在所述晶片上感应特定的偏压电压波形。

4.如权利要求1所述的方法，包括以下步骤：

在不同的时间点调制所述晶片电压以产生具有多于一个能量峰值的离子能量分布函数。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述能量峰值中的每一个能量峰值的离子比例由在所述不同时间点对所述晶片电压的相应调制期间产生的脉冲的数量来确定。

6.如权利要求1所述的方法，包括以下步骤：

以不同幅度来调制所述晶片电压以产生离子能量分布函数，所述离子能量分布函数具有拥有不同幅度的多于一个能量峰值。

7.一种用于处理晶片的方法，包括以下步骤：

向工艺腔室的电极施加正跳变电压以中和晶片的表面；

向所述电极施加负跳变电压来为所述晶片设定晶片电压；和

向所述电极施加过度补偿所述晶片上的离子电流的斜坡电压，

其中向所述电极施加过度补偿所述晶片上的离子电流的斜坡电压的步骤包括以下步骤：向所述电极施加斜坡电压，所述斜坡电压包括与维持所述晶片上的恒定电压而需要的负斜率相比而言更负的斜率，以产生离子能量分布函数，所述离子能量分布函数具有多于一个能量峰值。

8.如权利要求7所述的方法，其中在所述晶片上感应出的电流的最小电压和最大电压确定得到的离子能量分布函数的宽度。

9.如权利要求7所述的方法，包括以下步骤：

调整所述斜坡电压的斜率以产生期望的离子能量分布函数，以在所述晶片上感应特定的偏压电压波形。

10.一种用于处理晶片的方法，包括以下步骤：

向工艺腔室的电极施加正跳变电压以中和晶片的表面；

向所述电极施加负跳变电压来为所述晶片设定晶片电压；和

向所述电极施加对所述晶片上的离子电流补偿不足的斜坡电压，

其中向所述电极施加对所述晶片上的离子电流补偿不足的斜坡电压的步骤包括以下步骤：向所述电极施加斜坡电压，所述斜坡电压包括与维持所述晶片上的恒定电压而需要的负斜率相比而言较不为负的斜率，以产生离子能量分布函数，所述离子能量分布函数具有单个能量峰值。

11.如权利要求10所述的方法，其中在所述晶片上感应出的电流的最小电压和最大电压确定得到的离子能量分布函数的宽度。

12.如权利要求10所述的方法，包括以下步骤：

调整所述斜坡电压的斜率以产生期望的离子能量分布函数，以在所述晶片上感应特定的偏压电压波形。