[发明专利]角耦接谐振器阵列

权利要求书

1.一种微机电系统(“MEMS”)谐振器阵列，包括：

至少一对第一压电谐振器，所述至少一对第一压电谐振器彼此相对，所述至少一对第一压电谐振器之间限定有空间；以及

至少一对第二压电谐振器，所述至少一对第二压电谐振器彼此相对并且分别耦接至所述第一压电谐振器中的每一个的相应角，使得所述第二压电谐振器中的每一个被部分地设置在所述一对第一压电谐振器之间限定的空间中。

2.根据权利要求1所述的MEMS谐振器阵列，其中，所述一对第一压电谐振器中的第一压电谐振器的第一边在相应角处耦接至所述第二压电谐振器中的每一个的相应第一边，使得所述第一压电谐振器的所述第一边在第一对连接区域处与所述第二压电谐振器的相应第一边交叠。

3.根据权利要求2所述的MEMS谐振器阵列，其中，所述一对第一压电谐振器中的第二压电谐振器的第一边在相应角处耦接至所述第二压电谐振器中的每一个的相应第二边，使得所述第二压电谐振器的所述第一边在第二对连接区域处与所述第二压电谐振器的相应第二边交叠，其中，所述第二边与所述第二压电谐振器的第一边相对。

4.根据权利要求3所述的MEMS谐振器阵列，其中，所述第一对连接区域和所述第二对连接区域包括1.0μm与20.0μm之间的交叠距离。

5.根据权利要求3所述的MEMS谐振器阵列，其中，所述第一对连接区域和所述第二对连接区域包括相应谐振器的每个边的总长度的15％或更小的所述谐振器的相应边的谐振器交叠百分比。

6.根据权利要求1所述的MEMS谐振器阵列，其中，所述第一压电谐振器和所述第二压电谐振器中的每一个包括具有基本相等的长度L和宽度W的矩形形状。

7.根据权利要求1所述的MEMS谐振器阵列，其中，所述第一压电谐振器和所述第二压电谐振器中的每一个包括具有六个角的多边形形状。

8.根据权利要求1所述的MEMS谐振器阵列，其中，所述一对第二压电谐振器直接耦接至所述第一压电谐振器中的每一个的相应角，相邻谐振器之间具有交叠的连接区域。

9.根据权利要求8所述的MEMS谐振器阵列，其中，所述交叠的连接区域分别包括1.0μm与20.0μm之间的交叠距离。

10.根据权利要求8所述的MEMS谐振器阵列，其中，所述交叠的连接区域包括相应谐振器的每个边的总长度的15％或更小的所述谐振器的相应边的谐振器交叠百分比。

11.根据权利要求1所述的MEMS谐振器阵列，其中，所述一对第二压电谐振器耦接至所述第一压电谐振器中的每一个的相应角，其中，相应的填充件设置在所耦接的谐振器中的每一个之间。

12.根据权利要求1所述的MEMS谐振器阵列，还包括至少一对附加压电谐振器，所述至少一对附加压电谐振器耦接至未耦接至所述一对第一压电谐振器的第二压电谐振器中的一个第二压电谐振器的相应角。

13.一种微机电系统(“MEMS”)谐振器阵列，包括：

至少一对第一压电谐振器，所述至少一对第一压电谐振器中的每一个具有侧表面，所述侧表面沿第一方向彼此平行延伸并且面向彼此，所述至少一对第一压电谐振器之间限定有空间；以及

至少一对第二压电谐振器，所述至少一对第二压电谐振器中的每一个具有彼此平行并且沿所述第一方向延伸的相对的第一侧表面和第二侧表面，

其中，所述第二压电谐振器中的每一个耦接至所述一对第一压电谐振器中的相应的相对的角，使得所述第二压电谐振器中的每一个被部分地设置在所述一对第一压电谐振器的侧表面之间限定的空间中。