[发明专利]固态图像拾取元件和电子装置在审
申请号: | 201780072815.2 | 申请日: | 2017-11-14 |
公开(公告)号: | CN110050345A | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 河合信宏 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/363;H04N5/369;H04N5/374 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 付生辉 |
地址: | 日本国神奈川*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 放大晶体管 电荷存储 电连接 布线 固态图像拾取元件 选择晶体管 光电转换 栅电极 公共连接节点 复位晶体管 电子装置 复位电压 电荷 像素 存储 施加 | ||
1.一种布置在像素内部的固态成像元件:
电荷累积单元,其累积由光电转换单元光电转换的电荷;
复位晶体管,其选择性地将复位电压施加到所述电荷累积单元;
放大晶体管,其具有电连接到所述电荷累积单元的栅电极;以及
选择晶体管,其串联连接到所述放大晶体管,
所述固态成像元件包括:
第一布线,其电连接所述电荷累积单元和所述放大晶体管的所述栅电极;
第二布线,其电连接到所述放大晶体管和所述选择晶体管的公共连接节点并沿所述第一布线形成;以及
第三布线,其电连接所述放大晶体管和所述选择晶体管。
2.根据权利要求1所述的固态成像元件,
其中,当所述电荷累积单元累积空穴时,所述复位电压处于GND电平。
3.根据权利要求1所述的固态成像元件,
其中,当所述电荷累积单元累积电子时,所述复位电压是电源电压或具有比所述电源电压高的电压值的升压电压。
4.根据权利要求1所述的固态成像元件,
其中所述第一布线和所述第二布线在不同的布线层中平行地形成。
5.根据权利要求1所述的固态成像元件,
其中所述第一布线和所述第二布线在相同布线层中平行地形成。
6.根据权利要求1所述的固态成像元件,
其中所述第一布线、所述第二布线和所述第三布线中的任一个的布线包括与其它布线的材料不同的布线材料。
7.根据权利要求1所述的固态成像元件,
其中所述光电转换单元包括有机光电转换膜。
8.根据权利要求1所述的固态成像元件,
其中至少两个光电转换区域在光入射方向上堆叠在其上形成像素的半导体基板中。
9.根据权利要求1所述的固态成像元件,
其中所述像素具有背照式像素结构。
10.一种电子设备,包括布置在像素内部的固态成像元件:
电荷累积单元,其累积由光电转换单元光电转换的电荷;
复位晶体管,其选择性地将复位电压施加到电荷累积单元;
放大晶体管,其具有电连接到所述电荷累积单元的栅电极;以及
选择晶体管,其串联连接到所述放大晶体管,
所述固态成像元件包括:
第一布线,其电连接所述电荷累积单元和所述放大晶体管的所述栅电极;
第二布线,其电连接到所述放大晶体管和所述选择晶体管的公共连接节点并沿所述第一布线形成;以及
第三布线,其电连接所述放大晶体管和所述选择晶体管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的