[发明专利]用于半导体器件的衬底噪声隔离结构

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一电路和第二电路，形成在半导体衬底中；

第一保护结构，形成在所述半导体衬底中并且设置在所述第一电路与所述第二电路之间，所述第一保护结构包括沿第一轴设置的第一不连续n+和p+扩散对；以及

第二保护结构，形成在所述半导体衬底中并且设置在所述第一电路与所述第二电路之间，所述第二保护结构包括沿所述第一轴设置的第二不连续n+和p+扩散对，所述第二不连续n+和p+扩散对关于所述第一不连续n+和p+扩散对交错，使得所述第一不连续n+和p+扩散对之间的间隙与所述第二不连续n+和p+扩散对之间的间隙沿垂直于所述第一轴的第二轴不对准。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一保护结构包括沿垂直于所述第一轴的所述第二轴延伸的第一连续扩散，并且所述第二保护结构包括沿所述第二轴延伸的第二连续扩散。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一保护结构是围绕所述第一电路形成的第一保护环，所述第一保护环包括由第一不连续n+和p+扩散的相应的第一集合和第二集合形成的第一边和第二边以及由所述第一连续扩散的相应的第一部分和第二部分形成的第二边和第三边。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第二保护结构是围绕所述第一保护环形成的第二保护环，所述第二保护环包括由第二不连续n+和p+扩散的相应的第一集合和第二集合形成的第一边和第二边以及由所述第二连续扩散的相应的第一部分和第二部分形成的第二边和第三边。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体器件，进一步包括：

壕沟，在所述第一不连续n+和p+扩散对与所述第二不连续n+和p+扩散对之间。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体器件，进一步包括：

深阱，形成在所述半导体衬底中并且设置在所述第一不连续n+和p+扩散对与所述第二不连续n+和p+扩散对之间。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体器件，其中所述半导体衬底包括p型衬底，并且其中所述第一保护结构和所述第二保护结构形成在所述p型衬底中。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体器件，其中阱形成在所述衬底中，并且其中所述第一保护结构和所述第二保护结构形成在所述阱中。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体器件，其中对于所述第一不连续n+和p+扩散对中的每一对，n+扩散关于p+扩散交错。

10.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体器件，进一步包括：

第三保护结构，形成在所述半导体衬底中并且设置在所述第一电路与所述第二电路之间，所述第三保护结构包括沿所述第一轴设置的第三不连续n+和p+扩散对，所述第三不连续n+和p+扩散对关于所述第二不连续n+和p+扩散对交错。

11.一种制造半导体器件的方法，包括：

在半导体衬底中形成第一电路和第二电路；

在所述半导体衬底中在所述第一电路与所述第二电路之间形成第一保护结构，所述第一保护结构包括沿第一轴设置的第一不连续n+和p+扩散对；以及

在所述半导体衬底中在所述第一电路与所述第二电路之间形成第二保护结构，所述第二保护结构包括沿所述第一轴设置的第二不连续n+和p+扩散对，所述第二不连续n+和p+扩散对关于所述第一不连续n+和p+扩散对交错，使得所述第一不连续n+和p+扩散对之间的间隙与所述第二不连续n+和p+扩散对之间的间隙沿垂直于所述第一轴的第二轴不对准。