[发明专利]用于宽范围温度控制的加热器基座组件

说明书

本公开文本的实施总的来说涉及半导体处理腔室，并且更具体地涉及用于半导体处理腔室的被加热的支撑基座。在一个实施方式中，公开一种基座组件，且所述基座组件包括：基板支撑件，所述基板支撑件包括介电材料并具有用于接收基板的支撑表面；电阻加热器，所述电阻加热器被封装在所述基板支撑件内；空心轴，所述空心轴在所述轴的第一端处耦接至所述基板支撑件的支撑构件；以及导热材料，所述导热材料被设置在位于所述支撑构件与所述轴的所述第一端之间的界面处。

技术领域

在此所公开的实施方式总的来说涉及半导体处理腔室，并且更具体地涉及用于半导体处理腔室的被加热的支撑基座组件。

背景技术

半导体处理涉及到众多不同的化学和物理工艺，由此在基板上产生微小的集成电路。构成集成电路的材料层由包括化学气相沉积、物理气相沉积、外延生长等的工艺来产生。使用光阻掩模和湿法或干法蚀刻技术来图案化所述材料层中的一些材料层。被用于形成集成电路的基板可为：硅、砷化镓、磷化铟、玻璃、或其他的适当的材料。

在集成电路的制造中，等离子体工艺经常用于各种材料层的沉积或蚀刻。等离子体处理提供了胜过热处理的许多优点。例如，等离子体增强化学气相沉积(PECVD)与在类似的热工艺中可达成的温度和沉积速率相比而言允许在更低的温度和更高的沉积速率下来执行沉积工艺。因此，PECVD对于具有严格的热预算的集成电路制造而言(例如对于超大规模集成电路或极大规模集成电路(VLSI或ULSI)设备制造而言)是有利的。

用于这些工艺中的处理腔室通常包括被设置在所述处理腔室中的基板支撑件或基座以在处理期间支撑所述基板。在一些工艺中，基座可包括嵌入式加热器，所述嵌入式加热器经调适以控制所述基板的温度和/或提供可被使用在工艺中的高温。在基板处理期间的所述基板的适当的温度控制和均匀的加热是非常重要的(特别是当集成电路的尺寸减小时)。具有嵌入式加热器的常规的支撑件通常具有影响沉积在基板上的薄膜的质量的众多热点(hot spot)和冷点(cold spot)。

因而，需要提供主动的温度控制的基座组件。

发明内容

本公开文本的实施方式总的来说涉及半导体处理腔室，并且更具体地涉及用于半导体处理腔室的被加热的支撑基座。在一个实施方式中，公开了一种基座组件，且所述基座组件包括：基板支撑件，所述基板支撑件包括介电材料，并且具有用于接收基板的支撑表面；电阻加热器，所述电阻加热器被封装在所述基板支撑件内；空心轴，所述空心轴在所述轴的第一端处耦接至所述基板支撑件的支撑构件；和导热材料，所述导热材料被设置在位于所述支撑构件与所述轴的所述第一端之间的界面处。

在另一个实施方式中，公开了一种用于半导体处理腔室的基座组件，且所述基座组件包括：基板支撑件，所述基板支撑件包括介电材料，并且具有用于接收基板的支撑表面；电阻加热器，所述电阻加热器被封装在所述基板支撑件内；轴，所述轴具有中空芯，并且于所述中空芯的第一端处耦接至所述基板支撑件的支撑构件；和热中断件，所述热中断件包括：气隙，所述气隙被定位在所述加热元件与所述冷却通道组件之间。

在另一个实施方式中，公开了一种用于半导体处理腔室的基座组件，且所述基座组件包括：基板支撑件，所述基板支撑件包括介电材料，并且具有用于接收基板的支撑表面；电阻加热器，所述电阻加热器被封装在所述基板支撑件内；轴，所述轴具有中空芯，并且于所述中空芯的第一端处耦接至所述基板支撑件的支撑构件；热中断件，所述热中断件包括：气隙，所述气隙被定位在所述加热元件与所述冷却通道组件之间；和导热材料，所述导热材料被设置在位于所述支撑构件与所述中空芯的所述第一端之间的界面处。

附图简单说明

为了使得可详细地理解前文引述的本公开文本的特征的方式，可通过参照实施方式来获得于前文中简短概述的本公开文本的更为特定的描述，所述实施方式中的一些实施方式被展示于附图中。然而，应注意到：附图仅展示此公开文本的典型实施方式，所以并不被视为是对其范畴的限制，对于所述公开文本而言可允许其他的等效的实施方式。