[发明专利]用于宽范围温度控制的加热器基座组件

权利要求书

1.一种用于半导体处理腔室的基座组件，包括：

基板支撑件，所述基板支撑件包括介电材料，并且所述基板支撑件具有用于接收基板的支撑表面；

加热元件，所述加热元件被封装在所述基板支撑件内；

轴，所述轴具有中空芯，并且所述轴在所述中空芯的第一端处耦接至所述基板支撑件的支撑构件；和

导热材料，所述导热材料被设置在位于所述支撑构件与所述中空芯的所述第一端之间的界面处，其中所述导热材料具有每米开尔文4.0瓦特(4.0W/m·K)的热导率，其中所述支撑构件包括形成在所述支撑构件的圆周中的多个凹槽。

2.如权利要求1所述的基座组件，其特征在于，所述轴包括冷却通道组件，所述冷却通道组件围绕所述中空芯，并且所述冷却通道组件被设置在所述轴内以用于经由内部冷却路径从所述基板支撑件移除热量。

3.如权利要求2所述的基座组件，其特征在于，所述基板支撑件具有热中断件，所述热中断件被定位在所述加热元件与所述冷却通道组件之间。

4.如权利要求3所述的基座组件，其特征在于，所述热中断件包括：

上壁；

相对的下壁；和

周围壁，所述周围壁包围所述热中断件，其中所述周围壁是圆形的。

5.如权利要求4所述的基座组件，其特征在于，所述热中断件具有在7.6cm与10.2cm之间的直径以及在1cm与1.3cm之间的高度。

6.如权利要求1所述的基座组件，其特征在于，所述凹槽中的每一个包括紧固件。

7.一种用于半导体处理腔室的基座组件，包括：

基板支撑件，所述基板支撑件包括基座主体，所述基座主体包括介电材料，且所述基板支撑件具有用于接收基板的支撑表面；

电阻加热器，所述电阻加热器被封装在所述基座主体内；

支撑构件，所述支撑构件通过接合层耦接至所述基座主体；

轴，所述轴具有中空芯并且所述轴在所述中空芯的第一端处耦接至所述支撑构件，所述轴具有包围所述中空芯的冷却通道组件；和

热中断件，所述热中断件包括气隙，所述气隙由所述接合层包围，所述热中断件被定位在所述基座主体与所述支撑构件之间。

8.如权利要求7所述的基座组件，其特征在于，所述热中断件包括：

上壁；

相对的下壁；和

周围壁，所述周围壁由所述接合层形成，所述周围壁包围所述气隙。

9.如权利要求8所述的基座组件，其特征在于，所述周围壁是圆形的。

10.如权利要求7所述的基座组件，其特征在于，所述热中断件具有在7.6cm与10.2cm之间的直径以及在1cm与1.3cm之间的高度。

11.如权利要求7所述的基座组件，其特征在于，所述支撑构件包括多个凹槽，所述多个凹槽被形成在所述支撑构件的外围中而相邻于在所述支撑构件与所述轴之间的界面。

12.如权利要求7所述的基座组件，进一步包括：

导热材料，所述导热材料由环形槽包围，所述导热材料被设置在界面处，所述界面位于所述支撑构件与所述中空芯的所述第一端之间。

13.如权利要求12所述的基座组件，其特征在于，所述导热材料具有每米开尔文4.0瓦特(4.0W/m·K)的热导率。

14.一种用于半导体处理腔室的基座组件，包括：

基板支撑件，所述基板支撑件包括介电材料，并且所述基板支撑件具有用于接收基板的支撑表面；

包括加热元件的电阻加热器，所述电阻加热器被封装在所述基板支撑件内；

轴，所述轴具有中空芯，并且所述轴在所述中空芯的第一端处耦接至所述基板支撑件的支撑构件，所述轴具有设置在所述轴中并包围所述中空芯的冷却通道组件；

热中断件，所述热中断件包括气隙，所述气隙被定位在所述加热元件与所述冷却通道组件之间；和

导热接合层，所述导热接合层包括基于硅树脂的粘合剂，所述导热接合层被设置在界面处，所述界面位于所述支撑构件与所述中空芯的所述第一端之间。