[发明专利]动态可靠性质量监测

权利要求书

1.一种半导体芯片，所述半导体芯片包括：

功能单元；

包括电路的监测器，所述监测器被配置为：

监测所述功能单元的实际使用；

将所述功能单元的所述实际使用与所述功能单元的预期使用进行比较，其中所述预期使用至少部分地基于所述功能单元的寿命；以及

提供对应于所述比较的信息；

包括电路的功率管理器，所述功率管理器被配置为：

响应于所述信息而更新所述功能单元的操作参数以改变所述功能单元的功耗；以及

将所述更新的操作参数发送到所述功能单元；

其中响应于确定所述实际使用小于所述预期使用，所述更新的操作参数包括所述操作参数的最大值，所述最大值大于所述操作参数的当前最大值。

2.如权利要求1所述的半导体芯片，其中所述操作参数包括与最大性能相关联的操作电压和功率性能状态中的一者或多者。

3.如权利要求1所述的半导体芯片，其中响应于确定所述实际使用大于所述预期使用，所述更新的操作参数包括所述操作参数的最大值，所述最大值小于所述操作参数的当前最大值。

4.如权利要求1所述的半导体芯片，其中响应于第一命令，所述功率管理器被配置为更新所述操作参数的最大值。

5.如权利要求1所述的半导体芯片，其中响应于确定所述实际使用不同于所述预期使用，所述监测器还被配置为改变所述功能单元的所述预期使用。

6.如权利要求1所述的半导体芯片，其中监测所述实际使用包括接收多个值，所述值包括操作电压和温度测量值中的一者或多者。

7.如权利要求6所述的半导体芯片，其中所述监测器还被配置为：

至少基于所述功能单元的所述实际使用和所述功能单元的寿命而将可靠性度量保持为随时间的累积值；以及

将所述可靠性度量与可靠性目标进行比较。

8.如权利要求7所述的半导体芯片，其中所述监测器还被配置为响应于检测到已经经过给定时间间隔而将所述可靠性度量存储到非易失性存储器。

9.如权利要求1所述的半导体芯片，其中所述半导体芯片还包括：

多个电压/时钟域，每个电压/时钟域都以操作参数操作；以及

多个监测器，每个监测器被配置为：

从所述多个电压/时钟域中的相应一者接收实际使用值；以及

将所述实际使用值与所述电压/时钟域的预期使用值进行比较。

10.一种增加计算系统的性能和可靠性的方法，所述方法包括：

操作处理器的功能单元；

通过包括电路的监测器将所述功能单元的实际使用与所述功能单元的预期使用进行比较，其中所述预期使用至少部分地基于所述功能单元的寿命；以及

响应于确定所述实际使用不同于所述预期使用而通过包括电路的功率管理器更新所述功能单元的操作参数以改变所述功能单元的功耗；

其中响应于确定所述实际使用小于所述预期使用，所述更新包括将所述操作参数的最大值改变为大于所述操作参数的当前最大值。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述操作参数包括操作电压和功率性能状态中的一者或多者。

12.如权利要求10所述的方法，其中响应于确定接收到的实际使用值大于预期使用值，所述更新包括将所述操作参数的最大值改变为小于所述操作参数的当前最大值。

13.如权利要求10所述的方法，其中响应于确定所述实际使用不同于所述预期使用，所述方法还包括改变所述功能单元的所述预期使用。

14.如权利要求10所述的方法，其中所述实际使用值包括操作电压和管芯上温度测量值中的一者或多者。