[发明专利]电子倍增器的制造方法及电子倍增器

说明书

一种电子倍增器的制造方法，电子倍增器具备：主体部；通道，其以在主体部的一端面及另一端面开口的方式设置于主体部，根据射入的电子放出二次电子，其中，电子倍增器的制造方法具备：第一工序，准备主体部件，主体部件具有一端面及另一端面，且设置有用于连通一端面和另一端面的通道的连通孔；第二工序，在主体部件的外表面及连通孔的内表面通过原子层沉积法形成至少包含电阻层的沉积层，由此形成通道；第三工序，通过除去形成于主体部件的外表面的沉积层，形成主体部。

技术领域

本发明的一方式涉及电子倍增器的制造方法及电子倍增器。

背景技术

在专利文献1中记载有CEM(通道电子倍增器)。该CEM具备：基体；通道，其以在基体的一端部表面及另一端部表面开口的方式设置于基体，根据射入的电子放出二次电子。另外，在专利文献1中公开有为了提高二次电子放出效率，通过原子层沉积法在基板上形成电子放出层。

在专利文献2中记载有MCP(微细通道板)。该MCP具备：基板；多个通道，其以在基板的上部表面及下部表面开口的方式设置于基板，由根据射入的电子放出数百万二次电子构成。另外，在专利文献2中公开有通过原子层沉积法将具有导电材料及绝缘材料的层叠结构的电阻层形成于基板，从而将电阻层的电阻值设为最佳值。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特表2011-513921号公报

专利文献2:日本特表2011-525294号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

在专利文献1中所述的CEM的工作时，对CEM施加加速电压。由此，在通道内进行的电子加速与电阻层碰撞，其结果，二次电子被增幅放出。接着，放出的二次电子被加速电压加速与电阻层碰撞，新的二次电子被进一步增幅放出，然后，反复其过程。

在CEM中，本发明人得到了可能产生以下问题点的见解。即，在CEM中，为了提高二次电子放出效率，只要仅在通道的内表面形成电阻层即可，但例如，当在电阻层的形成中使用原子层沉积法时，在基体的表面全体形成电阻层。即，不仅通道的内表面，而且在基体的外表面也形成有电阻层。

因此，在该CEM工作时，当对CEM施加加速电压时，在形成于基体的外表面的电阻层也产生电位差，且电流在该电阻层中流动。因此，有可能在形成于基体的外表面的电阻层中产生焦耳热，使CEM全体的温度上升。

此外，本发明人也得到关于MCP的以下见解。即，在专利文献2所述的MCP中，通过原子层沉积法在基板的外表面形成电阻层。但是，在MCP中，因为基板的外表面的表面积与通道的表面积相比非常小，所以在基板的外表面流动的电流成为极微量，因此，难以产生在CEM中产生的上述问题。

本发明的一方式的目的在于，提供一种能够抑制温度上升的电子倍增器的制造方法及电子倍增器。

用于解决问题的技术方案

本发明的一方式是本发明人基于上述见解作为反复深入研究的结果的方式。即，本发明一方式的电子倍增器的制造方法，所述电子倍增器具备：主体部；通道，其以在主体部一端面及另一端面开口的方式设置于主体部，根据射入的电子放出二次电子，所述电子倍增器的制造方法具备：第一工序，准备主体部件，所述主体部件具有所述一端面及另一端面，设置有用于连通一端面和另一端面的通道的连通孔；第二工序，在主体部件的外表面及连通孔的内表面通过原子层沉积法至少形成电阻层，由此形成通道；第三工序，通过除去形成于主体部件的外表面的电阻层，形成主体部。