[发明专利]制备阻性气体电子倍增器薄膜的方法和阻性气体电子倍增器薄膜有效
| 申请号： | 201810957329.5 | 申请日： | 2018-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN109148253B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 周意;王旭;尚伦霖;张广安;鲁志斌;刘建北;张志永;吕游;邵明 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01J47/02 | 分类号： | H01J47/02;G01N27/12 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 程纾孟 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于制备阻性气体电子倍增器薄膜的方法，其可以形成包含依次层叠的第一类金刚石碳层、聚酰亚胺系薄膜和第二类金刚石碳层并且具有通孔阵列的阻性气体电子倍增器薄膜。该方法包括使用保护层、喷砂处理和湿法刻蚀的组合形成通孔。本发明的方法形成的包含类金刚石碳层的阻性气体电子倍增器薄膜缺陷少，性能稳定。本发明还提供了气体电子倍增器薄膜和气体电子倍增器。 | ||
| 搜索关键词： | 气体电子倍增器 薄膜 阻性 类金刚石碳层 制备 薄膜缺陷 聚酰亚胺 喷砂处理 湿法刻蚀 通孔阵列 依次层叠 保护层 通孔 | ||
【主权项】：
1.一种用于制备阻性气体电子倍增器薄膜的方法，所述阻性气体电子倍增器薄膜包含依次层叠的第一类金刚石碳层、聚酰亚胺系薄膜和第二类金刚石碳层并且具有通孔阵列，其特征在于，所述方法包括：/n提供基材，所述基材包含依次层叠的第一保护层、第一类金刚石碳层、聚酰亚胺系薄膜、第二类金刚石碳层和第二保护层，其中在所述第一保护层中形成有第一孔阵列并且在所述第二保护层中形成有与所述第一孔阵列相对的第二孔阵列；/n通过喷砂处理，在所述第一和第二孔阵列处的第一和第二类金刚石碳层中形成贯穿的孔洞；/n通过湿法刻蚀工艺，经过所述孔洞，对所述聚酰亚胺系薄膜进行刻蚀，并在所述聚酰亚胺系薄膜中形成在所述第一和第二孔阵列之间连通的通道；/n通过吹扫，去除在所述第一和第二孔阵列处残余的所述第一和第二类金刚石碳层，从而形成所述通孔；以及/n至少移除部分所述第一和第二保护层。/n
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