[发明专利]电子倍增器的制造方法及电子倍增器有效
申请号: | 201780052951.5 | 申请日: | 2017-08-03 |
公开(公告)号: | CN109643627B | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 小林浩之;杉浦银治 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01J9/12 | 分类号: | H01J9/12;H01J1/34;H01J43/20 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;黄浩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子倍增器 制造 方法 | ||
1.一种电子倍增器的制造方法,其特征在于,
所述电子倍增器具备:主体部;以及通道,其以在所述主体部的一端面及另一端面开口的方式设置于所述主体部,根据射入的电子放出二次电子,
所述电子倍增器的制造方法具备:
第一工序,准备主体部件,所述主体部件具有所述一端面及所述另一端面,并设置有用于连通所述一端面和所述另一端面的所述通道的连通孔;
第二工序,在所述主体部件的外表面及所述连通孔的内表面通过原子层沉积法形成至少包含电阻层的沉积层,由此形成所述通道;以及
第三工序,通过除去形成于所述主体部件的所述外表面的所述沉积层,形成所述主体部,
所述主体部件的所述外表面包含所述一端面、所述另一端面、及连接所述一端面和所述另一端面的侧面,
在所述第三工序中,维持形成于所述一端面及所述另一端面的所述沉积层,并沿从所述一端面到所述另一端面的所述通道的延伸方向除去形成于所述侧面的所述沉积层。
2.根据权利要求1所述的电子倍增器的制造方法,其中,
在所述第二工序中,形成包含所述电阻层和层叠在所述电阻层上的二次电子倍增层的所述沉积层。
3.根据权利要求1所述的电子倍增器的制造方法,其中,
所述主体部件由绝缘材料构成。
4.根据权利要求2所述的电子倍增器的制造方法,其中,
所述主体部件由绝缘材料构成。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的电子倍增器的制造方法,其中,
在所述第三工序中,通过喷沙除去所述沉积层。
6.根据权利要求1~4中任一项所述的电子倍增器的制造方法,其中,
还具备在所述第三工序之后,将散热器与所述主体部的所述外表面热连接的第四工序。
7.根据权利要求5所述的电子倍增器的制造方法,其中,
还具备在所述第三工序之后,将散热器与所述主体部的所述外表面热连接的第四工序。
8.根据权利要求6所述的电子倍增器的制造方法,其中,
所述散热器由金属构成,
在所述第四工序中,使所述散热器与所述外表面接触。
9.根据权利要求7所述的电子倍增器的制造方法,其中,
所述散热器由金属构成,
在所述第四工序中,使所述散热器与所述外表面接触。
10.一种电子倍增器,其特征在于,
具备:
主体部,其具有一端面、另一端面、及连接所述一端面和所述另一端面的侧面;以及
通道,其以在所述一端面及所述另一端面开口的方式设置于所述主体部,
所述通道具有包含形成于用于所述通道的连通孔的内表面的电阻层及二次电子倍增层的沉积层,
在所述一端面、及所述另一端面形成有所述沉积层,
所述侧面沿从所述一端面到所述另一端面的所述通道的延伸方向从所述沉积层露出,
所述沉积层通过原子层沉积法而形成。
11.根据权利要求10所述的电子倍增器,其中,
在所述侧面形成有所述二次电子倍增层。
12.根据权利要求10或11所述的电子倍增器,其中,
散热器与所述侧面接触。
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