[发明专利]距离传感器及距离图像传感器有效
| 申请号: | 201780052894.0 | 申请日: | 2017-05-30 |
| 公开(公告)号: | CN109690777B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
| 发明(设计)人: | 间瀬光人;平光纯;岛田明洋 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H04N25/70;H04N25/76;G01S7/481;G01S17/894;H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 距离 传感器 图像传感器 | ||
距离传感器具备硅基板和传送电极。硅基板具备相互相对的第一主面和第二主面。在硅基板的第一主面侧设置有根据入射光产生电荷的电荷产生区域和收集来自电荷产生区域的电荷的电荷收集区域。传送电极在第一主面上配置于电荷产生区域和电荷收集区域之间。传送电极根据输入的信号使电荷从电荷产生区域流入电荷收集区域。在第二主面的至少与电荷产生区域对应的区域形成有多个凸部。多个凸部具有相对于硅基板的厚度方向倾斜的斜面。在凸部中硅基板的(111)面作为斜面露出。凸部的高度为200nm以上。
技术领域
本发明涉及距离传感器及距离图像传感器。
背景技术
已知有具备硅基板和传送电极的距离传感器(距离图像传感器)(例如,参照专利文献1)。硅基板具有相互相对的第一主面和第二主面。在硅基板,根据入射光产生电荷的电荷产生区域和收集来自电荷产生区域的电荷的电荷收集区域设置于第一主面侧。传送电极在第一主面上配置于电荷产生区域和电荷收集区域之间。传送电极根据输入的信号从电荷产生区域使电荷流入电荷收集区域。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特表2007-526448号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
在专利文献1所述的距离传感器(距离图像传感器)中,在紫外的波长范围内的分光灵敏度特性中存在改善的余地。
本发明的一个方式的目的在于,提供实现紫外的波长范围内的分光灵敏度特性的提高的距离传感器及距离图像传感器。
解决问题的技术手段
本发明的一个方式为距离传感器,具备硅基板和传送电极。硅基板具有相互相对的第一主面和第二主面。在硅基板,在第一主面侧设置有根据入射光产生电荷的电荷产生区域和收集来自电荷产生区域的电荷的电荷收集区域。传送电极在第一主面上配置于电荷产生区域和电荷收集区域之间。传送电极根据输入的信号,从电荷产生区域使电荷流入电荷收集区域。在第二主面的至少与电荷产生区域对应的区域形成有多个凸部。多个凸部具有相对于硅基板的厚度方向倾斜的斜面。在凸部中,硅基板的(111)面作为斜面露出。凸部的高度为200nm以上。
在本一个方式所涉及的距离传感器中,形成于第二主面的多个凸部具有相对于硅基板的厚度方向倾斜的斜面。在光从第二主面入射于硅基板的情况下,一部分的光在距离传感器的第二主面侧反射。斜面相对于硅基板的厚度方向倾斜。因此,例如,在一个凸部的斜面侧反射的光朝向与该一个凸部接近的凸部的斜面侧,从接近的凸部的斜面入射于硅基板。
在凸部中,因为硅基板的(111)面作为斜面露出,所以从斜面入射于硅基板的光容易进入硅基板。因为凸部的高度为200nm以上,所以斜面的表面积大。因此,入射于斜面的光大多进入硅基板。
紫外的波长区域的光的由硅引起的吸收系数大。因此,紫外的波长区域的光在硅基板的靠近第二主面的区域被吸收。在本一个方式所涉及的距离传感器中,硅基板的(111)面在形成于硅基板的凸部露出。其结果,不会阻碍靠近第二主面的区域内的光的吸收。
由于以上的理由,在本一个方式所涉及的距离传感器中,实现紫外的波长范围内的分光灵敏度特性的提高。
本一个方式所涉及的距离传感器也可以还具备配置于第二主面上,使入射光透过的氧化硅膜。该情况下,因为氧化硅膜作为反射防止膜起作用,因此,光通过硅基板更容易进入。因此,在本方式中,紫外的波长范围内的分光灵敏度特性进一步提高。
本一个方式所涉及的距离传感器也可以还具备配置于第二主面上,使入射光透过的氧化铝膜。该情况下,通过氧化铝膜使规定的极性的固定电荷存在于硅基板的光入射面侧。规定的极性的固定电荷存在的硅基板的第二主面侧的区域作为累积层起作用。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





