[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

半导体层(5)；

层间绝缘膜(7)，在所述半导体层(5)上具有开口部地形成，包括氧化硅；

Cu电极(1)，经由所述层间绝缘膜(7)的开口部而与所述半导体层(5)电连接，其端部位于所述层间绝缘膜(7)的端部的内侧的所述层间绝缘膜(7)上；以及

应力缓和层(13)，形成于所述Cu电极(1)与所述层间绝缘膜(7)之间，包括断裂韧性值比所述层间绝缘膜(7)大的材料，从所述Cu电极(1)的端部的内侧设置至外侧。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述应力缓和层(13)的厚度是100nm以上。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述应力缓和层(13)的厚度是200nm以上。

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置，其中，

所述应力缓和层(13)在所述层间绝缘膜(7)的开口部上具有开口部地形成，所述应力缓和层(13)的开口部端比所述层间绝缘膜(7)的开口部端位于内侧。

5.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置，其中，

所述应力缓和层(13)的一部分或者全部是阻挡金属层(14)。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

所述应力缓和层(13)具备所述阻挡金属层(14)和非阻挡金属应力缓和层(21)，

所述非阻挡金属应力缓和层(21)在所述层间绝缘膜(7)的开口部上具有开口部地形成，

所述阻挡金属层从所述非阻挡金属应力缓和层(21)的开口部中的所述半导体层(5)上形成至所述非阻挡金属应力缓和层(21)上，其端部比所述Cu电极(1)的端部位于外侧。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

所述应力缓和层(13)具备所述阻挡金属层(14)和非阻挡金属应力缓和层(21)，

所述阻挡金属层(14)从所述层间绝缘膜(7)的开口部中的所述半导体层(5)上形成至所述层间绝缘膜(7)上。

8.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置，其中，

所述应力缓和层(13)由导电体形成，从所述层间绝缘膜(7)的开口部形成至所述层间绝缘膜(7)上。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，

所述应力缓和层(13)具备阻挡金属层(14)和非阻挡金属应力缓和层(21)，

所述阻挡金属层(14)设置于所述非阻挡金属应力缓和层(21)与所述Cu电极(1)之间。

10.根据权利要求1至9中的任意一项所述的半导体装置，其中，

所述Cu电极(1)的厚度是15μm以上。

11.根据权利要求1至10中的任意一项所述的半导体装置，其中，

在所述Cu电极(1)上接合Cu导线(16)。

12.根据权利要求1至10中的任意一项所述的半导体装置，其中，

在所述Cu电极(1)上接合主电极布线(19)。

13.根据权利要求1至12中的任意一项所述的半导体装置，其中，

所述半导体层(5)是SiC。