[发明专利]氢化且富含三氟化硼同位素的掺杂剂来源的气体组合物

权利要求书

1.一种氢化且富含三氟化硼(BF₃)同位素的掺杂剂来源气体组合物，所述组合物由以下组成：(i)三氟化硼，其富含高于天然丰度的同位素原子质量11的硼(¹¹B)；和(ii)氢气，以所述组合物中三氟化硼和氢气的总体积计，所述氢气的量是2体积％到6.5体积％。

2.根据权利要求1所述的组合物，其中所述富含高于天然丰度的同位素原子质量11的硼(¹¹B)的三氟化硼富含高于选自由以下组成的群组的富集含量的同位素：80.1％、85％、88％、90％、95％、96％、97％、98％、99％、99.5％、99.9％、99.99％、99.995％以及99.999％。

3.根据权利要求1所述的组合物，其中所述富含高于天然丰度的同位素原子质量11的硼(¹¹B)的三氟化硼富含高于99％的同位素。

4.根据权利要求1所述的组合物，其中以所述组合物中三氟化硼和氢气的总体积计，氢气的存在量是3体积％到6.5体积％。

5.根据权利要求1所述的组合物，其中以所述组合物中三氟化硼和氢气的总体积计，氢气的存在量是4体积％到6体积％。

6.根据权利要求1所述的组合物，其中以所述组合物中三氟化硼和氢气的总体积计，氢气的存在量是5体积％。

7.一种氢化且富含三氟化硼(BF₃)同位素的掺杂剂来源气体组合物，所述组合物由以下组成：(i)三氟化硼，其富含高于99％的同位素原子质量11的硼(¹¹B)；和(ii)氢气，以所述组合物中三氟化硼和氢气的总体积计，所述氢气的量是5体积％。

8.一种硼掺杂剂气体组合物供应封装，所述封装包含气体储存和分配容器，所述容器容纳根据权利要求1到7中任一权利要求所述的氢化且富含三氟化硼(BF₃)同位素的掺杂剂来源气体组合物。

9.一种硼离子植入的方法，其包含向离子植入系统的离子源腔室引入根据权利要求1到7中任一权利要求所述的氢化且富含三氟化硼(BF₃)同位素的掺杂剂来源气体组合物，和在所述离子源腔室中电离所述氢化且富含三氟化硼(BF₃)同位素的掺杂剂来源气体组合物，以产生用于硼离子植入的含硼植入物种，其中当氢气存在时，所述含硼植入物种的射束电流与当所述离子源腔室中不存在氢气时所述含硼植入物种的射束电流相比降低小于8％。

10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包含产生所述含硼植入物种的射束，和将所述射束导引到衬底以用于向其中植入所述含硼植入物种。

11.根据权利要求9所述的方法，其包含将衬底暴露于所述含硼植入物种以用于将其植入所述衬底中。

12.一种操作离子植入系统的方法，其包含使(a)来自第一气体供应封装的富含同位素¹¹B的三氟化硼和(b)来自第二气体供应封装的氢气以三氟化硼与氢气的相对速率共流动到所述离子植入系统的离子源腔室，以在所述离子源腔室中构成掺杂剂来源气体组合物，所述气体组合物由以下组成：(i)三氟化硼，其富含高于天然丰度的同位素原子质量11的硼(¹¹B)；和(ii)氢气，以所述组合物中三氟化硼和氢气的总体积计，所述氢气的量是2体积％到6.5体积％。