[发明专利]用于在真空腔室内运输载体的设备及用于在真空腔室内运输载体的方法在审
申请号: | 201780030505.4 | 申请日: | 2017-08-25 |
公开(公告)号: | CN109716499A | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 奥利弗·海姆尔;克里斯蒂安·沃尔夫冈·埃曼;拉尔夫·林登贝格 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/683;C23C14/56;C23C14/50 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 路径切换 室内运输 真空腔 运输路径 运输载体 第一运输系统 机械接触 载体保持 真空腔室 非接触 上移动 运输 | ||
提供用于在真空腔室(101)内运输载体(10)的设备(100)。设备(100)包含第一运输系统(112),经构造以在运输方向(T)上沿着第一运输路径(T1)非接触地运输载体,及路径切换组件(150),具有载体保持部(151),经构造以机械接触载体(10)以用于使载体在路径切换方向(S)上移动远离第一运输路径(T1)。进一步地,描述包含路径切换组件的系统,以及用于在真空腔室内运输载体的方法。
技术领域
本公开内容的实施方式有关于一种用于在真空腔室内运输载体的设备、一种用于真空处理基板的系统以及一种用于在真空腔室内运输载体的方法。本公开内容的实施方式特别有关于一种真空系统,所述真空系统具有沉积设备并具有路径切换组件,所述路径切换组件经构造以在真空腔室内的第一运输路径与第二运输路径之间移动载体。具体而言,描述了在真空腔室中切换载体的轨道的方法。
背景技术
用于基板上的层沉积的技术包含例如溅射沉积(sputter deposition)、蒸镀(evaporation)及化学气相沉积(chemical vapor deposition;CVD)。溅射沉积工艺可用于使材料层沉积于基板上,例如绝缘材料层或导体材料层。
为了沉积多层堆叠,可使用直列式排列(in-line arrangement)处理模块。串联式处理系统包含多个后续处理模块,例如沉积模块与可选地其他处理模块,例如清洁模块及/或蚀刻(etching)模块,其中处理方面在处理模块中相继进行,使得可在串联式处理系统中连续地或准连续地(quasi-continuously)处理多个基板。
基板可由载体承载,即用于承载所述基板的承载装置。载体典型使用运输系统而被运输通过真空系统。所述运输系统可经构造以沿着一条或多条运输路径输送具有基板定位其上的载体。在真空腔室内可以彼此相邻地设置至少两条运输路径,例如用于在向前方向上运输载体的第一运输路径,而用于在与向前方向相反的返回方向上运输载体的第二运输路径。
运输系统可有辊(rollers)或其他支撑件,所述辊或其他支撑件经构造以沿着运输路径和/或从一个运输路径至另一运输路径(也称为“路径切换”或“轨道切换”)支撑与输送载体。在运输载体期间,载体与载体支撑件之间的摩擦可产生可能对真空系统内的真空状态有负面影响的粒子。这些粒子可污染沉积于基板上的层,并且可使沉积层的品质下降。
鉴于以上,需要减少真空腔室内粒子产生的用于在真空腔室内运输载体的新设备、用于真空处理基板的新系统、及用于在真空腔室内运输载体的新方法。也需要提供在真空腔室内的至少两条运输路径之间便利的路径切换的新设备、系统与方法。
发明内容
鉴于以上,提供用于在真空腔室内运输载体的设备、用于真空处理基板的系统和用于在真空腔室内运输载体的方法。本公开内容的其他方面、益处和特征从权利要求书、说明书和所附附图中是显而易见的。
根据本公开内容的一个方面,提供用于在真空腔室内运输载体的设备。所述设备包含第一运输系统,所述第一运输系统经构造以在运输方向上沿着第一运输路径非接触地运输载体。所述设备更包含路径切换组件,所述路径切换组件包含载体保持部,所述载体保持部经构造以机械接触载体,以用于在路径切换方向上将载体移动远离第一运输路径。
根据本公开内容的一个方面,提供用于在真空腔室内运输载体的设备。所述设备包含在运输方向上沿着第一运输路径设置的第一磁悬浮系统与包含载体保持部的路径切换组件,所述载体保持部在路径切换方向上是可移动的,且所述载体保持部包含载体接触部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造