[发明专利]二次电池的制造方法

权利要求书

1.一种氧化物半导体二次电池的制造方法，其特征在于，

在将第一电极、由n型金属氧化物半导体形成的n型金属氧化物半导体层、由n型金属氧化物半导体与绝缘体形成的充电层、以绝缘体为主要成分的中间绝缘层、由p型金属氧化物半导体形成的p型金属氧化物半导体层和第二电极依次层叠后，

将以所述第一电极为基准在所述第一电极与所述第二电极之间施加正电压作为第一步骤，

将以所述第一电极为基准在所述第一电极与所述第二电极之间施加0V作为第二步骤，

以所述第一步骤和所述第二步骤作为第1单位循环，反复进行预定数量的所述第1单位循环。

2.根据权利要求1所述的氧化物半导体二次电池的制造方法，其特征在于，在所述第一电极接地的情况下，在所述第一步骤中对所述第二电极施加的正电压的值至少包括所述氧化物半导体二次电池的充电电压以上的值。

3.根据权利要求1所述的氧化物半导体二次电池的制造方法，其特征在于，所述第一步骤中包括在所述第一电极与所述第二电极之间施加正电压的状态保持一定时间的步骤，所述第二步骤中包括在所述第一电极与所述第二电极之间施加0V的状态保持一定时间的步骤。

4.根据权利要求3所述的氧化物半导体二次电池的制造方法，其特征在于，在所述第一步骤中，在所述第一电极与所述第二电极之间施加的正电压在每个循环设定为不同的电压值。

5.根据权利要求1所述的氧化物半导体二次电池的制造方法，其特征在于，在所述第一步骤中，在各步骤中控制在所述第一电极与所述第二电极之间施加的正电压，以使得在所述第一电极与所述第二电极之间流动的电流值不超过在所述第一步骤中预先确定的电流值。

6.根据权利要求1所述的氧化物半导体二次电池的制造方法，其特征在于，在所述第一步骤中，施加正电压的施加正电压时间随着所述氧化物半导体二次电池的放电容量增加而延长。

7.根据权利要求1所述的氧化物半导体二次电池的制造方法，其特征在于，施加正电压的施加正电压时间是所述氧化物半导体二次电池的电压值到达至预先确定的设定电压值的时间。

8.根据权利要求1所述的氧化物半导体二次电池的制造方法，其特征在于，除了所述第一步骤及所述第二步骤之外，还包括：

测定所述氧化物半导体二次电池的放电容量的第三步骤，在所述第1单位循环反复进行预定的循环数之后，执行所述第三步骤，当测定到所述氧化物半导体二次电池的放电容量为预先确定的阈值以上时，结束施加电压。

9.根据权利要求1所述的氧化物半导体二次电池的制造方法，其特征在于，除了所述第一步骤及所述第二步骤之外，还包括：

测定所述氧化物半导体二次电池的放电容量的第三步骤，和

基于所述第三步骤所测定的放电容量，以预定的时间间隔计算所述氧化物半导体二次电池的放电容量的增加率的第四步骤，

在所述第1单位循环反复进行预定的循环数之后，执行所述第三步骤及所述第四步骤，当测定到所述放电容量的增加率为预先确定的阈值以下时，结束施加电压。

10.根据权利要求1所述的氧化物半导体二次电池的制造方法，其特征在于，在将硅油或添加有所述电阻调节剂的硅油涂布在所述充电层的表面上之后，进行烧成，烧成后照射紫外线以进行UV固化，由此形成所述中间绝缘层。

11.根据权利要求1所述的氧化物半导体二次电池的制造方法，其特征在于，所述中间绝缘层通过以硅即Si为靶材的溅射形成在所述充电层之上。

12.根据权利要求1所述的氧化物半导体二次电池的制造方法，其特征在于，所述中间绝缘层的绝缘体为SiO_x，其中0≤x≤2。