[发明专利]层叠配线膜及薄膜晶体管元件

权利要求书

1.一种层叠配线膜，其特征在于，具备：包含电阻为10μΩcm以下的Cu或Cu合金的配线层、以及设于所述配线层的上层及下层中的至少一者的包含Cu与X元素的Cu-X合金层，

所述X元素为选自由Al、Mn、Zn以及Ni所组成的X群组中的至少一种，

构成所述Cu-X合金层的金属为下述(1)～(5)中的任一组成系，

配线图案的宽度为10μm以下：

(1)只包含所述X群组中的一种元素，其含量为6at％以上且27at％以下。

(2)包含4at％以上且15at％以下的Al，进而包含5at％以上且10at％以下的Mn。

(3)包含5at％以上且10at％以下的Zn，进而包含5at％以上且26at％以下的Mn。

(4)包含4at％以上且14at％以下的Zn，进而包含5at％以上且15at％以下的Al。

(5)包含5at％以上且10at％以下的Al，进而包含2at％以上且10at％以下的Ni。

2.根据权利要求1所述的层叠配线膜，其中构成所述Cu-X合金层的金属为下述(1')～(5')中的任一组成系，

配线图案的宽度为5μm以下：

(1')只包含所述X群组中的一种元素，其含量为6at％以上且14at％以下。

(2')包含4at％以上且9at％以下的Al，进而包含5at％以上且10at％以下的Mn。

(3')包含5at％以上且10at％以下的Zn，进而包含5at％以上且10at％以下的Mn。

(4')包含4at％以上且14at％以下的Zn，进而包含5at％以上且10at％以下的Al。

(5')包含5at％以上且10at％以下的Al，进而包含6at％以上且10at％以下的Ni。

3.根据权利要求1或2所述的层叠配线膜，其为层叠于基板的层叠配线膜，且在层叠于所述基板之侧的表面进而具有包含Ti的密接层。

4.根据权利要求1或2所述的层叠配线膜，其中所述配线层的膜厚为50nm以上且1000nm以下，所述Cu-X合金层的膜厚为5nm以上且200nm以下。

5.根据权利要求3所述的层叠配线膜，其中所述配线层的膜厚为50nm以上且1000nm以下，所述Cu-X合金层的膜厚为5nm以上且200nm以下。

6.一种薄膜晶体管元件，其特征在于，包含如权利要求1所述的层叠配线膜及氧化物半导体。

7.一种薄膜晶体管元件，其特征在于，包含如权利要求2所述的层叠配线膜及低温多晶硅半导体或氧化物半导体。