[发明专利]新型有机高分子及其制造方法

权利要求书

1.具有下述式(I)所示重复单元的有机高分子。

式中，环A及环B各自独立地表示芳香族烃环或芳香族杂环，n表示0或1～6的整数、R¹～R²⁺ⁿ各自独立地表示取代基，a1～a(2+n)各自独立地表示0～2的整数，环C表示根据n的数与相邻的苯环依次非直线状地邻位缩合而成的苯环。

2.根据权利要求1所述的有机高分子，其具有下述式(I-1)～(I-5)中的至少一个式所示的重复单元，

式中，R¹～R⁶各自独立地表示烷基、芳基、烷氧基或烷基硫基，a1～a6各自独立地表示0～2的整数，环A及环B与权利要求1中相同。

3.根据权利要求1所述的有机高分子，其具有下述式(I-3)所示的重复单元，

式中，R¹～R⁴中的至少一个表示直链状或分支状C_4-28烷基、或直链状或分支状C_4-28烷氧基，a1～a4各自独立地表示0或1，a1～a4中的至少一个为1，环A及环B与权利要求1中相同。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的有机高分子，其中，环A及环B为选自噻吩环、呋喃环、吡咯环、硒吩环、及苯环中的芳香环。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的有机高分子，其具有下述式(I-3a1)或(I-3b1)所示的重复单元。

式中，R¹及R⁴表示直链状或分支状C_6-26烷基、或直链状或分支状C_6-26烷氧基。

6.权利要求1～5中任一项所述的有机高分子的制造方法，该方法包括：

将下述式(Ia)所示化合物供于偶联反应，

式中，X表示氢原子、卤素原子、锂原子或-MgX¹，X¹表示卤素原子，环A、环B、n、R¹～R²⁺ⁿ及a1～a(2+n)与上述权利要求1中相同。

7.一种用于形成有机半导体的组合物，该组合物含有权利要求1～5中任一项所述的有机高分子和有机溶剂。

8.一种有机半导体的制造方法，该方法包括：在基材的至少一侧的面上涂布权利要求7所述的组合物并进行干燥，形成有机半导体。

9.一种有机半导体，其含有权利要求1～5中任一项所述的有机高分子。

10.一种电子设备，其含有权利要求1～5中任一项所述的有机高分子。

11.一种半导体元件，其含有权利要求1～5中任一项所述的有机高分子。

12.根据权利要求11所述的半导体元件，其是选自切换元件、整流元件、及光电转换元件中的一种。