[发明专利]基板的制造方法

说明书

本发明可抑制平坦化热处理锡合金凸块层时锡合金接触于铜配线层。本发明一种方式提供一种在抗蚀层开口部具有凸块的基板的制造方法。该基板的制造方法具有以下工序：在基板上以第一温度镀覆铜配线层的工序；在所述铜配线层上以与第一温度相同的第二温度镀覆障壁层的工序；及在所述障壁层上镀覆锡合金凸块层的工序。

技术领域

本发明涉及一种基板的制造方法及基板。

背景技术

在过去，进行在设于半导体晶片等基板表面的细微配线用沟、孔、或抗蚀层开口部形成配线，或在基板表面形成与封装体的电极等电连接的凸块(突起状电极)。形成该配线及凸块的方法，例如公知有电解镀覆法、蒸镀法、印刷法、球凸块法等。近年来，随着半导体芯片的I/O数量增加、及窄间距化，多采用可细微化且性能比较稳定的电解镀覆法。

以电解镀覆法形成配线或凸块时，在设于基板上的配线用沟、孔、或抗蚀层开口部的障壁金属表面形成电阻低的种层(供电层)(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-60379号公报

发明内容

(发明要解决的问题)

进行使用这种电解镀覆法制造抗蚀层开口部具有凸块的基板。图6A－图6F是表示制造抗蚀层开口部具有凸块的基板的过去程序的概略图。

如图6A所示，首先准备由二氧化硅(SiO2)或硅(Si)构成的基板W。在基板W上形成铜等的种层201，在种层201上形成具有指定图案的抗蚀层202。继续如图6B所示，在抗蚀层202的开口部通过电解镀覆形成铜配线层203。从镀覆速度及包含于镀覆液的添加剂的效率性等的观点而言，形成该铜配线层203时的镀覆液的温度设定为约25℃。

图6C所示，在铜配线层203上通过电解镀覆形成包含镍(Ni)的障壁层204。从镀覆速度及包含于镀覆液的添加剂的效率性等的观点而言，形成该障壁层204时的镀覆液温度设定为约40℃。如此，一般而言，形成于铜配线层203上部的障壁层204以比形成铜配线层203时高的温度镀覆。

抗蚀层202的温度会受到形成铜配线层203时的镀覆液温度及形成障壁层204时的镀覆液温度的影响。即，形成铜配线层203时，抗蚀层202的温度接近此时镀覆液的温度即约25℃，另外，形成障壁层204时的抗蚀层202的温度接近此时镀覆液温度即约40℃。因此，由于形成障壁层204时的抗蚀层202的温度比形成铜配线层203时高，因此会热膨胀。因而，如图6C所示，通过抗蚀层202的热膨胀，形成障壁层204时的抗蚀层202的开口部宽度缩小，结果障壁层204的宽度比铜配线层203的宽度小。另外，在抗蚀层202的开口部的形状大致为圆形时，本说明书中所谓“宽度”是指各层的外径，在抗蚀层202的开口部的形状是多边形时，本说明书中所谓“宽度”是指多边形各层的顶点间的距离。

接着，如图6D所示，在障壁层204上通过电解镀覆形成包含锡银的锡合金凸块层205。从镀覆速度及包含于镀覆液的添加剂的效率性等的观点而言，形成该锡合金凸块层205时的镀覆液温度设定为约30℃。因此，由于形成锡合金凸块层205时的抗蚀层202的温度比形成障壁层204时低，因此会热收缩。因而如图6D所示，通过抗蚀层202的热收缩，形成锡合金凸块层205时的抗蚀层202的开口部宽度扩大，结果锡合金凸块层205的宽度比障壁层204的宽度大。

然后，通过抗蚀层剥离装置除去抗蚀层202，并通过蚀刻装置将种层201蚀刻成适当形状。如图6E所示，铜配线层203、障壁层204、锡合金凸块层205分别具有不同宽度。具体而言，障壁层204具有比铜配线层203小的宽度。