[发明专利]基板的制造方法有效
| 申请号： | 201780020620.3 | 申请日： | 2017-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN108886003B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 仓科敬一;石塚大辉;小俣慎司;社本光弘;久保田诚 | 申请（专利权）人： | 株式会社荏原制作所 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人： | 张丽颖 |
| 地址： | 日本东京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 方法 | ||
1.一种基板的制造方法，该基板在形成于基板表面的种层上的抗蚀层开口部具有凸块，该制造方法的特征在于，具有以下工序：
在基板上以第一温度的镀覆液在所述抗蚀层开口部内电解镀覆铜配线层的工序；
在所述抗蚀层开口部内，在所述铜配线层上以与所述第一温度的差小于5℃的第二温度的镀覆液电解镀覆障壁层的工序；及
在所述抗蚀层开口部内，在所述障壁层上电解镀覆锡合金凸块层的工序。
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，
所述第二温度与所述第一温度的差为2.5℃以下。
3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，
所述第二温度与所述第一温度的差为1℃以下。
4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，
所述障壁层包含由镍及钴构成的组中的一个以上的金属。
5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，
电解镀覆所述锡合金凸块层的工序包含如下工序：以所述第二温度以上的第三温度的镀覆液电解镀覆所述锡合金凸块层的工序。
6.一种基板的制造方法，该基板在形成于基板表面的种层上的抗蚀层开口部具有凸块，该制造方法的特征在于，具有以下工序：
在基板上以第一温度的镀覆液在所述抗蚀层开口部内电解镀覆铜配线层的工序；
在所述抗蚀层开口部内，在所述铜配线层上以小于所述第一温度的第二温度的镀覆液电解镀覆强化障壁层的工序；及
在所述抗蚀层开口部内，在所述强化障壁层上电解镀覆锡合金层的工序。
7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，
所述强化障壁层的宽度比所述铜配线层的宽度大。
8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，
所述强化障壁层覆盖所述铜配线层的侧面的至少一部分。
9.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，
所述第二温度比所述第一温度低5℃以上，且所述第二温度为15℃以上。
10.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，
所述强化障壁层包含由镍及钴构成的组中的一个以上的金属。
11.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，
电解镀覆所述锡合金层的工序包含如下工序：以所述第二温度以上的第三温度的镀覆液电解镀覆所述锡合金层的工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
