[发明专利]层叠反射电极膜、层叠反射电极图案及层叠反射电极图案的制造方法

权利要求书

1.一种层叠反射电极膜，其特征在于，具有：

Ag膜，由Ag或Ag合金构成；及

透明导电氧化物膜，配置于所述Ag膜上，

所述透明导电氧化物膜由氧化物构成，所述氧化物包含Zn和Ga，还包含Sn、Y及Ti中的一种或两种以上，

将所述透明导电氧化物膜中所包含的所有金属元素的原子比例设为：Ga为14.0原子％以上且30.0原子％以下，Sn、Y及Ti分别为0.1原子％以上且10.0原子％以下，剩余部分为Zn，

所述Ag膜的厚度为50nm以上，

蓝色区域：波长400～500nm的反射率为86％以上。

2.根据权利要求1所述的层叠反射电极膜，其特征在于，

将所述透明导电氧化物膜中所包含的所有金属元素的原子比例设为：Ga为14.0原子％以上且18.0原子％以下，Sn、Y及Ti分别为0.1原子％以上且10.0原子％以下，剩余部分为Zn。

3.根据权利要求1所述的层叠反射电极膜，其特征在于，

在所述透明导电氧化物膜中包含以所有金属元素的原子比例计为0.1原子％以上且10.0原子％以下的Y。

4.根据权利要求2所述的层叠反射电极膜，其特征在于，

在所述透明导电氧化物膜中包含以所有金属元素的原子比例计为0.1原子％以上且10.0原子％以下的Y。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的层叠反射电极膜，其特征在于，

所述Ag膜由Ag合金构成，所述Ag合金以总计含有0.2原子％以上且2.0原子％以下的Cu、In、Sn、Sb、Ti、Mg、Zn、Ge、Al、Ga、Pd、Au、Pt、Bi、Mn、Sc、Y、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb及Er中的一种或两种以上，且剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的层叠反射电极膜，其特征在于，

将所述透明导电氧化物膜的厚度设为100nm以下。

7.根据权利要求5所述的层叠反射电极膜，其特征在于，

将所述透明导电氧化物膜的厚度设为100nm以下。

8.一种层叠反射电极图案，其特征在于，其由权利要求1至7中任一项所述的层叠反射电极膜构成，且具有规定图案。

9.一种层叠反射电极图案的制造方法，其特征在于，为权利要求8中所述的层叠反射电极图案的制造方法，所述方法具备：

层叠反射电极膜形成工序，在基材的成膜面上形成包含所述Ag膜及所述透明导电氧化物膜的所述层叠反射电极膜；

抗蚀剂膜形成工序，在所述层叠反射电极膜上形成规定图案形状的抗蚀剂膜；

蚀刻工序，将包含磷酸和乙酸的酸性混合液用作蚀刻剂，对形成有所述抗蚀剂膜的所述层叠反射电极膜一并进行蚀刻；及

抗蚀剂膜去除工序，蚀刻后去除所述抗蚀剂膜。

10.一种层叠反射电极图案的制造方法，其特征在于，为权利要求8中所述的层叠反射电极图案的制造方法，所述方法具备：

抗蚀剂膜形成工序，在基材的成膜面上形成规定图案的反转图案形状的抗蚀剂膜；

层叠反射电极膜形成工序，在形成有所述抗蚀剂膜的所述基材的成膜面上，形成包含所述Ag膜及所述透明导电氧化物膜的所述层叠反射电极膜；及

抗蚀剂膜去除工序，去除所述抗蚀剂膜。