[发明专利]用于化学抛光的系统、装置和方法有效
申请号: | 201780010487.3 | 申请日: | 2017-02-06 |
公开(公告)号: | CN108604549B | 公开(公告)日: | 2023-09-12 |
发明(设计)人: | B·C·加嘎纳坦;R·巴贾杰 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/321 | 分类号: | H01L21/321;H01L21/304;H01L21/306;H01L21/461 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 金红莲;侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 化学抛光 系统 装置 方法 | ||
本发明的实施例提供一种使用流体网络平板组件的用于化学抛光基板的系统、装置和方法,所述流体网络平板组件包含:垫,所述垫具有多个流体开口;多个流体通道的网络,每个通道与至少一个流体开口流体地连通;多个入口,每个入口耦合至不同的流体通道;以及出口,所述出口耦合至未耦合至入口的所述流体通道中的一个。公开了多个附加的方面。
相关申请
本申请要求2016年2月8日提交的题为“SYSTEMS,APPARATUS,AND METHODS FORCHEMICAL POLISHING(用于化学抛光的系统、装置和方法)”(案卷号23560/L)的美国临时专利申请序列号62/292,850的优先权,其公开内容通过引用整体结合于此。
技术领域
本发明涉及基板抛光,并且更具体地涉及化学抛光的系统、装置和方法。
背景技术
现有的化学机械抛光(CMP)材料移除方法使用机械向下力以产生基板与抛光垫之间的摩擦。移除材料传统上以每分钟1500nm下降至每分钟400nm的数量级的速率执行。然而,降低材料移除速率低于每分钟20nm超出现有CMP工具的能力,这主要取决于为了造成任何材料移除所需的应用至基板的最小向下力。允许产生越来越小的器件的改进器件形成技术获益于较低的移除速率可允许的加强控制,但以现有CMP工具而言是不可能的。因此,所需要的是不依赖机械向下力量的用于化学抛光的方法及装置。
发明内容
在一些实施例中,本发明提供一种流体网络平板组件,包含:垫,该垫具有多个流体开口;多个流体通道的网络,每个通道与至少一个流体开口流体连通;多个入口,每个入口耦合至不同的流体通道;以及出口,该出口耦合至未耦合至入口的流体通道中的一个。
在其他实施例中,本发明提供一种用于抛光基板的化学抛光系统。该系统包含:抛光头;轨道致动器;以及流体网络平板组件,该流体网络平板组件耦合至轨道致动器并且设置在抛光头下方,其中流体网络平板组件包含:垫,该垫具有多个流体开口;多个流体通道的网络,每个通道与至少一个流体开口流体连通;多个入口,每个入口耦合至不同的流体通道;以及出口,该出口耦合至未耦合至入口的流体通道中的一个。
在又一其他实施例中,本发明提供一种抛光基板的方法。该方法包含以下步骤:提供化学抛光系统,包含流体网络平板组件,该流体网络平板组件具有多个流体通道的网络,每一通道与垫中的至少一个流体开口流体连通,该垫耦合至流体网络平板组件;经由流体网络平板组件将基板暴露至第一化学溶液的薄膜;经由流体网络平板组件使用去离子水的第一薄膜漂洗基板;经由流体网络平板组件将基板曝露至第二化学溶液的薄膜;以及经由流体网络平板组件使用去离子水的第二薄膜漂洗基板。
由下方详细的说明书、所附权利要求书、以及通过图示若干包括用于实现本发明预期的最佳模式的示例性实施例及实现,本发明的其他特征、方面、及优点将变得更完全地显而易见。本发明的实施例也可以能够有其他及不同的应用,并且可在多种方面修改其若干细节,而全不背离本发明的精神及范围。因此,附图及说明书应视为本质上是图示,而非限制。附图不必案比例绘制。说明书意图涵盖落入权利要求书的精神及范围内的所有修改、等效及替代物。
附图说明
图1是根据本发明的实施例的透视视图,描绘化学抛光系统的示例性实施例。
图2A至2C是根据本发明的实施例的图1的示例性实施例的顶部、前方、及复合的横截面视图。
图3是根据本发明的实施例的图1的示例性实施例的分解顶部透视视图。
图4是根据本发明的实施例的图1的示例性实施例的分解底部透视视图。
图5是根据本发明的实施例的图1的示例性实施例的垫的透视视图。
图6A-6C是根据本发明的实施例的图1的示例性实施例的顶部甲板平板的顶部、前方、及透视视图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780010487.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基板处理装置以及基板处理方法
- 下一篇:半导体装置的制造方法以及半导体装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造