[发明专利]微小开关及使用其的电子设备有效

专利信息
申请号: 201780007514.1 申请日: 2017-01-20
公开(公告)号: CN108496251B 公开(公告)日: 2022-08-12
发明(设计)人: 上代洋;永井徹;木下健太郎 申请(专利权)人: 日本制铁株式会社;国立大学法人鸟取大学
主分类号: H01L27/105 分类号: H01L27/105;H01L27/28;H01L45/00;H01L49/00;H01L51/05
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 张楠
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 微小 开关 使用 电子设备
【说明书】:

一种微小开关,其特征在于,其由第1电极、第2电极及多孔性高分子金属络合物导电体构成,上述多孔性高分子金属络合物导电体以下述式(1)表示,构成上述第1电极的金属与构成上述第2电极的金属的氧化还原电位不同。[MLx]n(D)y(1),其中,M表示选自元素周期表的2~13族中的金属离子,L表示在其结构内含有2个以上的可与上述M配位的官能团且可与2个上述M交联的配体,D表示不包含金属元素的导电性助剂。x为0.5~4,y相对于1个x为0.0001~20。n表示由[MLx]构成的结构单元的重复数,n为5以上。

技术领域

发明涉及由含有导电性助剂的多孔性高分子金属络合物(PCP: PorousCoordination Polymer)形成的多孔性高分子金属络合物导电体及利 用了其的微小开关以及利用了其的电子设备。

本申请基于2016年1月22日在日本申请的特愿2016-010864号及特 愿2016-010865号而主张优先权,并将其内容援引于此。

背景技术

本申请说明书中使用的“开关”是指具有通过某些方法能够变化的多个 稳定状态、且通过使各个稳定状态与例如“0”、“1”对应来保持数据的机构。 作为微小开关的一种有存储器,如果是作为存储器的一种的DRAM (Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器),则通过使电容 器被充电的状态和空的状态分别与“1”、“0”对应来实现数据存储,如果是 快闪(Flash)存储器,则通过使在浮动门中注入有电荷的状态和没有注入 电荷的状态分别与“1”、“0”对应来实现数据存储。这些微小开关类作为个 人计算机和移动设备等的记录材料被广泛利用,微小开关类的特性承担着 决定利用它们的设备的性能那样重要的作用。

微小开关的最大问题是就现有材料而言特性改善接近极限。对于微小 开关的特性改善,广泛采用了微细化的方法。这是由于:越进行微细化, 则耗电的降低、响应速度的提高、由高度集成化带来的高功能化、小型轻 量化越成为可能。作为微细化方法,一般利用了光刻技术,但本技术也存 在光的波长这样的固有的临界值,据说目前使用的微小开关的进一步小型 化是困难的。此外,既然采用通过电荷是否进入了浮动门来进行判断的方 式,就通过数个电子来进行判断的以往方式而言,因存在漏电路径(leak path)而数据消失等问题是不可避免的,在这一意义上也给高性能化带来界 限。作为高性能化的方法,研究了将元件层叠的方法,当然层叠化需要高 端的技术,会产生成品率的降低、制造成本的问题等。

为了即使将形状微细化而电流也不会流出,还有利用氮化膜来防止电 荷的泄漏的方法,但是既然使用起因于上述的光波长的界限的光刻技术, 则微细化存在界限。

也有不是利用现有材料的微细化、而利用新型的机理来开发更高性能 的开关的动向。例如作为下一代的快闪存储器,可列举出MRAM (Magnetoresistive Random AccessMemory,磁阻式随机存取存储器)、 PRAM(Phase Change Random Access Memory,相变随机存取存储器)、 ReRAM(Resistance Random Access Memory,电阻式随机存取存储器)。MRAM存在结构复杂、成品率低、制造成本高等问题。PRAM利用缓冷、 急冷来进行开关,在原理上不能说速度极限高。ReRAM虽然在目前没有被 实用化,但是基于形成金属纳米线的机理的存储器,若使大电流流过、即 作为开关使用,则能够期待稳定的动作,由于在结构上简易,所以还可期 待制造成本的降低、容易层叠化等。

多孔性高分子金属络合物(PCP:Porous Coordination Polymer)是由金 属离子和有机配体得到的具有纳米水平的细孔的结晶性固体,由于各种金 属离子、有机配体的组合及骨架结构的多样性,考虑了气体吸附、分离材 料、催化剂、传感器、医药品等各种应用。

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