[发明专利]微小开关及使用其的电子设备有效
申请号: | 201780007514.1 | 申请日: | 2017-01-20 |
公开(公告)号: | CN108496251B | 公开(公告)日: | 2022-08-12 |
发明(设计)人: | 上代洋;永井徹;木下健太郎 | 申请(专利权)人: | 日本制铁株式会社;国立大学法人鸟取大学 |
主分类号: | H01L27/105 | 分类号: | H01L27/105;H01L27/28;H01L45/00;H01L49/00;H01L51/05 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 张楠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微小 开关 使用 电子设备 | ||
1.一种微小开关,其特征在于,其由第1电极、第2电极及多孔性高分子金属络合物导电体构成,
所述多孔性高分子金属络合物导电体以下述式(1)表示,
构成所述第1电极的金属与构成所述第2电极的金属的氧化还原电位不同,
[MLx]n(D)y (1)
其中,M表示选自元素周期表的2~13族中的金属离子,L表示在其结构内含有2个以上的可与所述M配位的官能团且可与2个所述M交联的配体,D表示不包含金属元素的导电性助剂;x为0.5~4,y相对于1个x为0.0001~20;n表示由[MLx]构成的结构单元的重复数,n为5以上。
2.根据权利要求1所述的微小开关,其中,所述D为分子内具有碳-碳不饱和键、并且含有硫或氮原子的化合物。
3.根据权利要求1所述的微小开关,其中,所述D为分子内具有碳-碳不饱和键、并且在所述碳-碳不饱和键上键合有吸电子基团或给电子基团的化合物、或者共轭体系发达的芳香族化合物。
4.根据权利要求2或3所述的微小开关,其中,所述D为选自由四氰乙烯、四氰醌二甲烷、苯醌、或它们的衍生物构成的组中的受主型的化合物。
5.根据权利要求2或3所述的微小开关,其中,所述D为选自四硫富瓦烯或它们的衍生物中的施主型的化合物。
6.根据权利要求1~3中任一项所述的微小开关,其中,在所述多孔性高分子金属络合物导电体中含有两种以上的所述D。
7.根据权利要求6所述的微小开关,其中,所述两种以上的D中的至少一种为由在分子内具有电荷的有机物形成的有机性导电性助剂。
8.根据权利要求7所述的微小开关,其中,所述有机性导电性助剂选自由季铵盐、鏻盐类、胺-碱金属离子复合物、咪唑鎓盐类、吡啶鎓盐类及锍盐类构成的组。
9.根据权利要求1~3中任一项所述的微小开关,其中,所述D的含量相对于所述多孔性高分子金属络合物导电体为0.001~30质量%。
10.根据权利要求1~3中任一项所述的微小开关,其中,所述M为选自铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、稀土类、锆中的2价、3价、或4价的金属离子。
11.根据权利要求1~3中任一项所述的微小开关,其中,所述L为分子内含有2个以上的羧基的芳香族化合物。
12.根据权利要求1~3中任一项所述的微小开关,其中,所述L为分子内含有2个以上的羧基的非芳香族化合物。
13.根据权利要求11所述的微小开关,其中,所述L为分子内含有2个以上的配位性氮原子的芳香族化合物。
14.根据权利要求12所述的微小开关,其中,所述L为分子内含有2个以上的配位性氮原子的非芳香族化合物。
15.根据权利要求1~3中任一项所述的微小开关,其中,所述M选自由镁、铝、钙、钪、锰、铁(II)、铁(III)、钴、镍、铜、锌、锆钌、铑、钯、银、镉、铟及铼构成的组,
所述L选自由取代/未取代的对苯二甲酸、取代/未取代的间苯二甲酸、取代/未取代的2,6-萘二甲酸、取代/未取代的2,7-萘二甲酸、取代/未取代的4,4’-联苯二甲酸、取代/未取代的均苯三酸、取代/未取代的4,4’-联吡啶、取代/未取代的1,4-(4-吡啶基)苯及取代/未取代的咪唑构成的组。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的