[发明专利]磁记录介质及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201780002234.1 申请日: 2017-01-06
公开(公告)号: CN107836022B 公开(公告)日: 2019-05-17
发明(设计)人: 内田真治;中田仁志;森谷友博;古田旭;岛津武仁;大山浩永 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: G11B5/738 分类号: G11B5/738;G11B5/65;G11B5/851
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 周全;俞丹
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 记录 介质 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种磁记录介质,其特征在于,

依次包括基板、第1种子层、含有70wt%以上的ZnO的第2种子层、含有MgO的第3种子层、和含有有序合金的磁记录层,且所述第1种子层含有Ru、和选自由氧化物、碳化物及氮化物组成的组中的至少一种。

2.如权利要求1所述的磁记录介质,其特征在于,

所述第1种子层含有Ru、和TiOm或SiOn,其中,所述m=1.5~2.5,所述n=1.5~2.5。

3.如权利要求1所述的磁记录介质,其特征在于,

在所述第1种子层和第2种子层之间还包含非磁性中间层,所述非磁性中间层含有Pt、和选自由氧化物、碳、碳化物及氮化物组成的组中的至少一种。

4.如权利要求3所述的磁记录介质,其特征在于,

所述非磁性中间层含有Pt、以及TiOm或C,其中,所述m=1.5~2.5。

5.如权利要求1所述的磁记录介质,其特征在于,

在所述第1种子层和所述第2种子层之间还包含非磁性中间层,所述非磁性中间层由Pt组成,且所述非磁性中间层具有0.1~3.0nm的膜厚。

6.如权利要求1所述的磁记录介质,其特征在于,

在所述基板和所述第1种子层之间还包含由Ru或Ru合金形成的取向控制层。

7.如权利要求1所述的磁记录介质,其特征在于,

所述有序合金是含有选自Fe及Co中的至少一种元素、和选自由Pt、Pd、Au、Ir、及Rh组成的组中的至少一种元素的L10型有序合金。

8.如权利要求7所述的磁记录介质,其特征在于,

所述有序合金还含有选自由Ni、Mn、Cu、Ru、Ag、Au、及Cr组成的组中的至少一种元素。

9.如权利要求7所述的磁记录介质,其特征在于,

所述有序合金是选自由FePt、CoPt、FePd、及CoPd组成的组的L10型序合金。

10.如权利要求1所述的磁记录介质,其特征在于,

所述磁记录层具有包含磁晶粒、和包围所述磁晶粒的非磁性晶粒边界的粒状结构,且所述磁晶粒含有所述有序合金。

11.一种制造磁记录介质的方法,所述方法包括:

准备基板的工序;

在所述基板上形成第1种子层的工序,并且所述第1种子层含有Ru、和选自由氧化物、碳化物及氮化物组成的组中的至少一种;

在所述第1种子层上形成含有70wt%以上的ZnO的第2种子层的工序;

在所述第2种子层上形成含有MgO的第3种子层的工序;以及

在所述第3种子层上形成含有有序合金的磁记录层的工序,

在形成所述磁记录层时,在300℃~600℃的范围内加热所述基板。

12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,

所述第1种子层含有Ru、以及TiOm或SiOn,其中,所述m=1.5~2.5,所述n=1.5~2.5。

13.如权利要求11所述的方法,其特征在于,

还包括在所述第1种子层和所述第2种子层之间形成非磁性中间层的工序,所述非磁性中间层含有Pt、和选自由氧化物、碳、碳化物及氮化物组成的组中的至少一种。

14.如权利要求13所述的方法,其特征在于所述非磁性中间层含有Pt、和TiOm或C,其中,所述m=1.5~2.5。

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