[发明专利]基板载置方法、成膜方法、电子设备的制造方法有效
| 申请号: | 201780002058.1 | 申请日: | 2017-06-22 |
| 公开(公告)号: | CN107851603B | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
| 发明(设计)人: | 石井博;铃木健太郎;鸟泻光太郎 | 申请(专利权)人: | 佳能特机株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;C23C14/50 |
| 代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 程晨 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基板载置 方法 电子设备 制造 | ||
1.一种基板载置方法,将基板载置到载置体之上,其特征在于,具有:
第一夹持工序,通过夹持机构夹持所述基板的周缘部;
释放工序,释放所述夹持机构对所述基板的夹持;以及
第二夹持工序,在所述释放工序之后,在将所述基板载置到所述载置体之上的状态下,通过夹持机构夹持所述基板的所述周缘部。
2.根据权利要求1所述的基板载置方法,其特征在于,
将所述基板载置到所述载置体之上的状态是所述基板的至少一部分与所述载置体接触的状态。
3.根据权利要求1所述的基板载置方法,其特征在于,
将所述基板载置到所述载置体之上的状态是在使所述基板和所述载置体相对地靠近时所述基板与所述载置体开始接触的接触开始时间点的状态,或者所述基板和所述载置体比所述接触开始时间点时更靠近、所述基板和所述载置体的接触面积比所述接触开始时间点时增加的状态。
4.根据权利要求1所述的基板载置方法,其特征在于,
所述载置体是具有预定的开口图案的掩模。
5.根据权利要求1所述的基板载置方法,其特征在于,
具有在所述第一夹持工序之后使所述基板和所述载置体相对地靠近的工序,
在所述基板与所述载置体接触之前进行所述释放工序。
6.根据权利要求1所述的基板载置方法,其特征在于,
具有在所述第一夹持工序之后使所述基板和所述载置体相对地靠近的工序,
在所述基板的至少一部分与所述载置体接触之后进行所述释放工序。
7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的基板载置方法,其特征在于,
具有第一位置调整工序,在所述第一夹持工序与所述释放工序之间,调整与所述载置体的表面平行的方向上的所述基板和所述载置体的相对位置。
8.根据权利要求1至6中的任意一项所述的基板载置方法,其特征在于,
具有第二位置调整工序,在所述第二夹持工序之后,调整与所述载置体的表面平行的方向上的所述基板和所述载置体的相对位置。
9.根据权利要求8所述的基板载置方法,其特征在于,
所述第二位置调整工序包括:
使所述基板离开所述载置体的工序;以及
调整与所述载置体的表面平行的方向上的所述基板和所述载置体的相对位置的工序。
10.根据权利要求8所述的基板载置方法,其特征在于,
所述第二位置调整工序包括:
在将所述基板载置到所述载置体的状态下测量所述基板和所述载置体的相对的偏移的工序;
使所述基板离开所述载置体的工序;
根据测量出的所述相对的偏移,调整与所述载置体的表面平行的方向上的所述基板和所述载置体的相对位置的工序;以及
在调整相对位置之后,将所述基板再次载置到所述载置体之上的工序。
11.根据权利要求10所述的基板载置方法,其特征在于,
在释放所述夹持机构对所述基板的夹持的状态下或者在使所述夹持机构的夹力比所述第二夹持工序中的夹力弱的状态下进行将所述基板再次载置到所述载置体之上的工序。
12.根据权利要求10所述的基板载置方法,其特征在于,
所述夹持机构具有两个夹持机构,该两个夹持机构分别夹持所述基板的周缘部中的相向的两个边部,
在释放所述两个夹持机构中的一个夹持机构对所述基板的夹持的状态下、或者使所述两个夹持机构中的一个夹持机构的夹力比另一个夹持机构的夹力弱的状态下进行将所述基板再次载置到所述载置体之上的工序。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳能特机株式会社,未经佳能特机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780002058.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体部件制造用膜
- 下一篇:使用间隔件蚀刻的沟槽形成围篱导体
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





