[发明专利]应用于集成电路之静电放电防护电路

权利要求书

1.一种静电放电防护电路，所述静电放电防护电路包括：

一第一N型晶体管，包含有：

一第一栅极端，耦接于一接地端；

一第一电极端，耦接于所述第一栅极端；以及

一第二电极端；

一第二N型晶体管，包含有：

一第二栅极端，耦接于一金属垫；

一第三电极端，耦接于所述第二栅极端；

一第四电极端，耦接于所述第二电极端；以及

一第五电极端；以及

一高电位追踪电路，包含有：

一第一输入端，耦接于所述金属垫，接收一金属垫电压；

一第二输入端，接收一电源电压；以及

一输出端，耦接于所述第五电极端，用来输出一高电位追踪电压至所述第五电极端，所述高电位追踪电压为所述金属垫电压与所述电源电压之一最大电压，所述高电位追踪电压大于或等于所述金属垫电压。

2.如权利要求1所述的静电放电防护电路，其中，所述高电位追踪电路包含：

一第一晶体管，包含有：

一第一控制端，耦接于所述第二输入端；

一第一端，耦接于所述第一输入端；以及

一第二端，耦接于所述输出端；以及

一第二晶体管，包含有：

一第二控制端，耦接于所述第一输入端；

一第三端，耦接于所述第二输入端；以及

一第四端，耦接于所述输出端。

3.如权利要求2所述的静电放电防护电路，其中，当所述金属垫电压大于所述电源电压时，所述第一晶体管为导通，而所述第二晶体管为断路。

4.如权利要求2所述的静电放电防护电路，其中，当所述金属垫电压小于所述电源电压时，所述第一晶体管为断路，而所述第二晶体管为导通。

5.如权利要求2所述的静电放电防护电路，其中，所述高电位追踪电路另包含：

一二极管，耦接于所述第一输入端与所述第一晶体管的所述第一端之间。

6.如权利要求1所述的静电放电防护电路，其中，所述第一N型晶体管另包含有：

一第一基极端，耦接于所述第一电极端。

7.如权利要求1所述的静电放电防护电路，其中，所述第二N型晶体管包含有：

一第一深N型井，设置于所述第三电极端、所述第四电极端及所述第五电极端的下方。

8.如权利要求7所述的静电放电防护电路，其中，所述第二N型晶体管另包含一第一P型井，设置于所述第三电极端及所述第四电极端与所述第一深N型井之间。

9.如权利要求8所述的静电放电防护电路，其中，所述第二N型晶体管另包含一第一N型井，所述第一N型井设置于所述第一P型井的一侧。

10.如权利要求9所述的静电放电防护电路，其中，所述第二N型晶体管另包含一N型区，所述N型区设置于所述第一N型井之中。

11.如权利要求10所述的静电放电防护电路，其中，所述N型区形成为所述第五电极端。

12.如权利要求1所述的静电放电防护电路，其中，当所述金属垫的一金属垫电压为一正静电放电电压时，一第一电流通过所述第一N型晶体管流至所述接地端。

13.如权利要求1所述的静电放电防护电路，其中，当所述金属垫的一金属垫电压为一正静电放电电压时，所述第一N型晶体管形成一第一双极性晶体管。

14.如权利要求12所述的静电放电防护电路，其中，所述正静电放电电压大于一千伏特。

15.如权利要求1所述的静电放电防护电路，其中，当所述金属垫的一金属垫电压为一负静电放电电压时，一第二电流通过所述第二N型晶体管流至所述金属垫。