[实用新型]一种基于AWG的多通道光接收集成组件

权利要求书

1.一种基于AWG的多通道光接收集成组件，其特征在于，包括管壳(1)、第一陶瓷基板(2)、COC组件(3)、TEC(4)和AWG(5)；其中，所述第一陶瓷基板(2)固定在管壳(1)内壁上，并承载COC组件(3)，所述COC组件(3)包括PD阵列(31)；

所述TEC(4)包括一个热面(41)和一个冷面(42)，所述热面(41)固定在管壳(1)的内壁上，所述冷面(42)承载AWG(5)；

所述AWG(5)中用于传输光信号输入波导端设置有第一凹槽(6)，所述第一凹槽(6)中设置有SOA芯片(7)；

所述PD阵列(31)设置在第一陶瓷基板(2)上，PD阵列(31)的光敏面面向AWG(5)的输出波导端；其中，PD阵列(31)光敏面与AWG(5)输出波导端之间的距离使得两者实现直接耦合。

2.根据权利要求1所述的基于AWG的多通道光接收集成组件，其特征在于，所述SOA芯片(7)以嵌入式的方式倒装焊接在所述第一凹槽(6)中；或者，在生长所述AWG(5)的过程中，将所述SOA芯片(7)制作在所述AWG(5)上的指定区域。

3.根据权利要求1所述的基于AWG的多通道光接收集成组件，其特征在于，所述第一凹槽(6)附近还制作有第二凹槽(8)，所述第二凹槽(8)中设置有热敏电阻(9)；其中，所述第二凹槽(8)的深度使得安装完成后热敏电阻(9)的热感应区域与AWG(5)的波导位于同一水平面上。

4.根据权利要求3所述的基于AWG的多通道光接收集成组件，其特征在于，所述热敏电阻(9)、所述TEC(4)的冷面(42)与热面(41)中所构成的回路连接温度监控电路。

5.根据权利要求3所述的基于AWG的多通道光接收集成组件，其特征在于，所述第一凹槽(6)和第二凹槽(8)的底部均设置有导电金属层。

6.根据权利要求5所述的基于AWG的多通道光接收集成组件，其特征在于，所述导电金属层是在制作导电金属层图形的掩膜层后，通过金属有机化学气相沉积MOCVD完成。

7.根据权利要求1所述的基于AWG的多通道光接收集成组件，其特征在于，所述COC组件(3)中还包括第二陶瓷基板(32)，所述PD阵列(31)被设置在第一陶瓷基板(2)上的方式具体为：PD阵列(31)先与第二陶瓷基板(32)完成固定，第二陶瓷基板(32)再固定在第一陶瓷基板(2)上。

8.根据权利要求7所述的基于AWG的多通道光接收集成组件，其特征在于，所述第二陶瓷基板(32)上与PD阵列(31)连接的表面上及其相邻面上均设置有金属电极。

9.根据权利要求1所述的基于AWG的多通道光接收集成组件，其特征在于，所述COC组件(3)中还包括前置放大器(33)，所述前置放大器(33)上还安装有TIA芯片和电容。

10.根据权利要求1-9任一所述的基于AWG的多通道光接收集成组件，其特征在于，所述AWG(5)是通过掩膜腐蚀或掩膜生长的方式制作完成。