[实用新型]一种真空坩埚旋转下降法晶体生长炉

说明书

本实用新型公开了一种真空坩埚旋转下降法晶体生长炉,包括炉支架、炉本体、压力传感器、充放气装置、真空系统、冷水系统、加热器、电极、坩埚和坩埚旋转下降装置；炉本体设于炉支架上，压力传感器、充放气装置、真空系统分别与炉本体的体壁连通，冷水系统与真空系统连接，加热器设于炉本体内，电极与加热器连接并控制加热器工作状态，坩埚安装于加热器内，坩埚旋转下降装置与坩埚连接,坩埚旋转下降装置可以控制坩埚在加热器内旋转和移动；本实用新型的坩埚可在不同的温场及气氛下工作。

技术领域

本实用新型涉及晶体生长炉领域，尤其涉及一种真空坩埚旋转下降法晶体生长炉。

背景技术

晶体生长炉在我国应用越来越广泛，其主要由主机、加热电源和计算机控制系统三大部分组成。

专利号为CN102677158A的中国专利提供了一种带副室结构的泡生法晶体生长炉，主要包括副室、主室、水冷电极、真空管道、发热体、坩埚、坩埚支撑系统、下部保温层、侧部保温层、籽晶杆、上保温层、真空阀门和提拉旋转装置等，其特征在于副室通过真空阀门与主室连接，坩埚放置在坩埚支撑系统上，发热体在坩埚外且位于上保温层、下部保温层、侧部保温层内，主室设有主室观察孔便于观察籽晶、籽晶杆、晶体及熔体的状态，籽晶杆由提拉旋转装置驱动，可升降和旋转；该专利虽然克服现有蓝宝石晶体泡生法晶体生长炉所存在的不足，提供一种无需停炉，可在高温状态下灵活处理各种异常尤其是籽晶异常的一种带副室结构的泡生法晶体生长炉结构，但是坩埚只能在固定温场作业，从而降低晶体成品率和质量。

因此，现有技术存在只能在固定温场及气氛下工作的缺陷。

发明内容

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种可在不同的温场及气氛下工作的真空坩埚旋转下降法晶体生长炉。

一种真空坩埚旋转下降法晶体生长炉,包括炉支架、炉本体、压力传感器、充放气装置、真空系统、冷水系统、加热器、电极、坩埚和坩埚旋转下降装置；所述炉本体设于所述炉支架上，所述压力传感器、所述充放气装置、所述真空系统分别与所述炉本体的体壁连通，所述冷水系统与所述真空系统连接，所述加热器设于所述炉本体内，所述电极与所述加热器连接并控制所述加热器工作状态，所述坩埚安装于所述加热器内，所述坩埚旋转下降装置与所述坩埚连接,所述坩埚旋转下降装置可以控制所述坩埚在所述加热器内旋转和移动。

优选地,所述加热器包括第一加热器和第二加热器，所述第一加热器加热温度大于所述第二加热器加热温度，所述第一加热器和所述第二加热器形成在第一加热器四周的高温区、第一加热器和第二加热器之间的梯度区和第二加热器四周的低温区。

优选地,所述加热器包括石墨加热器和电阻丝加热器。

优选地,所述电极至少2个。

优选地,所述真空系统包括扩散泵和机械泵。

优选地,所述真空系统的冷态极限真空度为10-3Pa。

优选地,还包括保温屏，所述加热器设于所述保温屏内。

与现有技术相比，本实用新型的技术方案具有以下优点：本实用新型坩埚旋转下降装置可以控制坩埚旋转和移动，本实用新型加热器可以形成高温区、梯度区和低温区，本实用新型可在不同的温场及气氛下工作，操作简单快捷，实用性高，同时也适用于较大直径晶体的旋转下降法生长需要，应用范围广泛。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型实施例的一种真空坩埚旋转下降法晶体生长炉的结构示意图。

具体实施方式