[实用新型]一种真空坩埚旋转下降法晶体生长炉

权利要求书

1.一种真空坩埚旋转下降法晶体生长炉,其特征在于,包括炉支架、炉本体、压力传感器、充放气装置、真空系统、冷水系统、加热器、电极、坩埚和坩埚旋转下降装置；所述炉本体设于所述炉支架上，所述压力传感器、所述充放气装置、所述真空系统分别与所述炉本体的体壁连通，所述冷水系统与所述真空系统连接，所述加热器设于所述炉本体内，所述电极与所述加热器连接并控制所述加热器工作状态，所述坩埚安装于所述加热器内，所述坩埚旋转下降装置与所述坩埚连接,所述坩埚旋转下降装置可以控制所述坩埚在所述加热器内旋转和移动。

2.如权利要求1所述的真空坩埚旋转下降法晶体生长炉,其特征在于,所述加热器包括第一加热器和第二加热器，所述第一加热器加热温度大于所述第二加热器加热温度，所述第一加热器和所述第二加热器形成在第一加热器四周的高温区、第一加热器和第二加热器之间的梯度区和第二加热器四周的低温区。

3.如权利要求1或2所述的真空坩埚旋转下降法晶体生长炉,其特征在于,所述加热器包括石墨加热器和电阻丝加热器。

4.如权利要求2所述的真空坩埚旋转下降法晶体生长炉,其特征在于,所述电极至少2个。

5.如权利要求1所述的真空坩埚旋转下降法晶体生长炉,其特征在于,所述真空系统包括扩散泵和机械泵。

6.如权利要求1所述的真空坩埚旋转下降法晶体生长炉,其特征在于,所述真空系统的冷态极限真空度为10^-3Pa。

7.如权利要求1所述的真空坩埚旋转下降法晶体生长炉,其特征在于,还包括保温屏，所述加热器设于所述保温屏内。