[实用新型]一种制备三层减反射膜的PECVD设备有效
申请号: | 201721845532.0 | 申请日: | 2017-12-26 |
公开(公告)号: | CN207834326U | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
发明(设计)人: | 金德琳;姚春梅;张炎;何一峰;胡青峰;周海权 | 申请(专利权)人: | 浙江贝盛光伏股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C23C16/511;C23C16/455;C23C16/34;C23C16/42;C23C16/02 |
代理公司: | 杭州千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人: | 裴金华 |
地址: | 313000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 出气口 工作腔 减反射膜 进气通道 氨气罐 硅烷罐 三层 本实用新型 流量调节阀 石墨舟 制备 薄膜技术领域 时间控制装置 微波激发装置 一次性制备 顶部安装 加热装置 内部安装 一端连接 出料腔 氮气罐 螺旋件 曝气管 装载腔 晶片 小孔 运载 驱动 | ||
本实用新型涉及薄膜技术领域,尤其涉及一种制备三层减反射膜的PECVD设备。这种设备包括装载腔、工作腔、出料腔、用于运载晶片的石墨舟、用于驱动石墨舟的桨、氮气罐、氨气罐和硅烷罐。工作腔顶部安装有微波激发装置,底部安装有加热装置;工作腔上开设有进气通道,进气通道的一端通过内部安装有螺旋件的Y型管分别与氨气罐的出气口和硅烷罐出气口连接;氨气罐出气口和硅烷罐出气口上均安装有流量调节阀,流量调节阀与时间控制装置连接;进气通道的另一端连接开设有小孔并安装在工作腔底部的曝气管。本实用新型能够一次性制备出性能优异的三层减反射膜。
技术领域
本实用新型涉及薄膜技术领域,尤其涉及一种制备多晶硅电池片的三层减反射膜的PECVD设备。
背景技术
面对日益短缺的能源与不断恶化的自然环境,人们将目光投向那些绿色环保、可再生的新能源的身上,如太阳能、风能、生物能、地热能、潮汐能等等。作为可再生清洁能源的典型代表,光伏发电以其无污染、可再生、储量丰富等优点引起了世界各国的高度重视,而据国际能源署(IEA)和欧盟联合研究中心(JRC)的预测,到2040年世界太阳能光伏发电量将占世界电力总供应的20%以上。根据预测太阳能在未来能源结构当中所占的比例越来越大,在本世纪末太阳能将可能会成为主要的能源供给来源,所占比例可能会超过60%。
在各种太阳能电池中,硅太阳能电池因其可靠性高、寿命长、能承受各种环境变化等优点成为太阳能电池的主要品种。太阳能行业市场前景广阔、发展迅猛,但单位发电量的成本还是很高是阻碍太阳能发电民用化的一个关键的因素。作为太阳能发电的核心元件-电池片除原材料的成本高之外,转换效率较低也是一个重要原因。中科院微电子研究所研究员贾锐分析指出,光伏产业属于技术主导型产业,以太阳能电池为例,每提高1%的转化率,就能降低5%的成本。因此,多晶硅电池片三层减反射膜的研究对提高多晶硅电池片的转换效率、降低成本以及推动太阳能发电的发展起着非常重要的作用。
申请号为200820231791.9的专利文件公开了这样一种全自动大型平板式PECVD晶硅光伏减反射覆膜制备设备,该设备主要设有装载台、预热台、PECVD室、冷却台、卸载台及真空抽气系统,装载台、预热台、PECVD室、冷却台和卸载台依次设置于台架上,预热台、冷却台分别连接保护气体管路,PECVD室通过管路连接真空抽气系统。该设备主要有以下缺点:无法一次性生产出符合标准的三层减反射膜。
发明内容
本实用新型要解决上述问题,提供一种制备三层减反射膜的PECVD设备,该设备能够一次性制备出具有良好减反射效果的减反射膜。
本实用新型解决问题采用的技术方案是,提出一种制备三层减反射膜的PECVD设备,包括装载腔、工作腔、出料腔、用于运载晶片的石墨舟以及用于驱动石墨舟的桨,其特征在于:还包括特气罐,所述特气罐包括氮气罐、氨气罐和硅烷罐;所述工作腔顶部安装有微波激发装置,底部安装有加热装置;所述工作腔上开设有进气通道,所述进气通道的一端通过内部安装有螺旋件的Y型管分别与氨气罐的出气口和硅烷罐出气口连接;所述氨气罐出气口和硅烷罐出气口上均安装有流量调节阀,所述流量调节阀与时间控制装置连接;所述进气通道的另一端连接开设有小孔的曝气管,所述曝气管安装在工作腔底部。
优选地,所述装载腔和工作腔之间还具有预处理腔,所述预处理腔和工作腔之间的连接处开设有通孔。
优选地,所述石墨舟底面覆盖有粗糙层,所述粗糙层的粗糙度大于0.6mm而小于0.7mm。
优选地,所述氮气罐的出气口与预处理腔上开设的氮气进气口连接,所述氮气进气口后连接有竖直安装在预处理腔侧面的氮气曝气管。
优选地,所述工作腔后连接有真空装置。
优选地,所述工作腔腔壁的材质为石英。
优选地,所述桨的材质为碳化硅。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的