[实用新型]一种制备三层减反射膜的PECVD设备

权利要求书

1.一种制备三层减反射膜的PECVD设备，包括装载腔（100）、工作腔（300）、出料腔（400）、用于运载晶片的石墨舟（500）以及用于驱动石墨舟（500）的桨，其特征在于：还包括特气罐（600），所述特气罐（600）包括氮气罐（610）、氨气罐（620）和硅烷罐（630）；所述工作腔（300）顶部安装有微波激发装置（310），底部安装有加热装置（320）；所述工作腔（300）上开设有进气通道（330），所述进气通道（330）的一端通过内部安装有螺旋件（341）的Y型管（340）分别与氨气罐的出气口（621）和硅烷罐出气口（631）连接；所述氨气罐出气口（621）和硅烷罐出气口（631）上均安装有流量调节阀（640），所述流量调节阀（640）与时间控制装置连接（650）；所述进气通道（330）的另一端连接开设有小孔的曝气管（350），所述曝气管（350）安装在工作腔（300）底部。

2.根据权利要求1所述的一种制备三层减反射膜的PECVD设备，其特征在于：所述装载腔（100）和工作腔（300）之间还具有预处理腔（200），所述预处理腔（200）和工作腔（300）之间的连接处开设有通孔（210）。

3.根据权利要求1所述的一种制备三层减反射膜的PECVD设备，其特征在于：所述石墨舟（500）底面覆盖有粗糙层，所述粗糙层的粗糙度大于0.6mm而小于0.7mm。

4.根据权利要求2所述的一种制备三层减反射膜的PECVD设备，其特征在于：所述氮气罐（610）的出气口与预处理腔（200）上开设的氮气进气口（220）连接，所述氮气进气口（220）后连接有竖直安装在预处理腔（200）侧面的氮气曝气管（230）。

5.根据权利要求1所述的一种制备三层减反射膜的PECVD设备，其特征在于：所述工作腔（300）后连接有真空装置（360）。

6.根据权利要求1所述的一种制备三层减反射膜的PECVD设备，其特征在于：所述工作腔（300）腔壁的材质为石英。

7.根据权利要求1所述的一种制备三层减反射膜的PECVD设备，其特征在于：所述桨的材质为碳化硅。

8.根据权利要求2 所述的一种制备三层减反射膜的PECVD设备，其特征在于：还包括冷却系统（700），所述冷却系统（700）为循环水流系统；所述预处理腔（200）和工作腔（300）外具有连续一致的外壳（240），所述外壳（240）和预处理腔（200）、工作腔（300）外壁之间形成循环水流系统的循环水流通道（710）。