[实用新型]电浆蚀刻反应室改良结构

说明书

一种电浆蚀刻反应室改良结构，主要是藉由于基座上的第二电极(阴极电极)的周面上缘设置一铝圈，使电浆在对晶圆在进行清洁制时电浆亦会轰击到该铝圈，而使轰击出来的部分铝分子会与气态的副产物结合，以避免其污染到该晶圆的表面，同时另外部分的铝分子亦会实时镀到该机壳的内侧遮板上以将部分的副产物固定住，以避免其脱落造成污染，藉此使其可避免电桨清洁制程之中副产物造成污染，以及可延长铝贴附制程进行的周期而可大幅提升工作效率。

技术领域

本实用新型涉及电浆蚀刻反应室结构方面的技术领域，其主要适用于半导体覆晶封装的凸块制程、晶圆级封装的导线凸块制程、扇出封装的导线凸块制程、2.5维度的硅插封装以及三维度的封装技术，尤指一种具有可避免电桨清洁制程所产生的副产物造成污染及可大幅提升工作效率等功效的电浆蚀刻反应室改良结构。

背景技术

一般在半导体覆晶封装技术、晶圆级封装以及扇出封装的凸块制程之中，在电镀制程前，会先用物理气相沉积溅镀法制作一金属障碍层作为晶种层，而为了要使物理气相沉积溅镀的金属层与半导体芯片有好的黏着强度，并且得到低阻值的接触电阻，通常在物理气相沉积溅镀金属层之前会先进行一道电浆清洁制程，以利用电浆轰击的方法先去除半导体芯片铝电极的氧化物以及一些极微量的污染物。

然而，在电浆清洁制程之中，会产生固态副产物(如PI、PBO、碳)的微粒或气态副产物(如一氧化碳、二氧化碳、氧气水)等各种物质，这些副产物有一部分会被涡轮泵抽走，有一部分会黏在电浆蚀刻反应室的内侧遮板上，但仍有一部分无法很顺利被带走及附着，而散布在电浆蚀刻反应室之中进而有可能再度污染半导体晶圆，以微粒的形式造成铝电极上的缺陷或是以气态的形式造成铝电极的接触电阻升高。目前解决此问题的方式是利用加大涡轮泵来提升抽气的效率，希望可以将微粒或是气态的副产物尽快地抽离电浆蚀刻反应室，或是利用增加内侧遮板的粗糙度来使遮板上能吸附更多微粒及气态的副产物，以减少副产物回到晶圆表面的机会，但是上述方式的效果非常有限，一旦制程要求变很高时便无法满足客户的需求。此时就必须要准备一片铝片(可用纯铝材料加工成晶圆的形状大小或是先在芯片上镀铝)，然后再将其传送进电浆蚀刻反应室中用电浆轰击铝片，以将铝片上的铝分子轰击出来，使这些被轰击出来的铝分子可以与气体中的副产物结合形成安定的化合物，或是镀到电浆蚀刻反应室的内侧遮板上供将副产物覆盖固定住，如此便可有效减少微粒及不良气体再次污染，此动作称为铝贴附制程。目前通常会在一定数量(7片为最佳)的晶圆作电浆蚀刻清洁后，须用铝片做1次铝贴附制程。

实用新型内容

本实用新型主要目的在于解决已知电浆蚀刻反应室在电浆清洁制程的过程之中所产生的副产品易造成污染，以及进行铝贴附制程的周期短而影响工作效率的问题，而提供一种电浆蚀刻反应室改良结构。

为达上述目的，本实用新型所采用的技术方案是：一种电浆蚀刻反应室改良结构，其特征在于，其包括：一机壳，内部具有一容室，该容室内分别于内周面及底面处设有一内侧遮板；一基座，可升降地设于该容室中的下方；一第一电极，设于该容室中的上方； 一第二电极，呈盘状且设于该基座上，以用于承载一晶圆，该第二电极可配合该第一电极于其间产生电浆；以及一铝圈，呈环圈状，且设于该基座上并环接于该第二电极的周面上缘。

本改良结构更包括有数根顶杆，其中该基座的底部设有空心状的一驱动杆向下延伸而穿过该机壳，以与一驱动装置连接而透过该驱动装置驱动其升降，该第二电极的底部连接有一射频电极棒，该射频电极棒位于该驱动杆之中且由下方延伸到该机壳的外部以与一射频电源供应器连接，可供将射频电源导入该第二电极，该数根顶杆下端设于该容室的底面，上端穿过该基座及该第二电极，并可升降作动以将该晶圆置放于向该第二电极的顶面或向上顶离一距离。