[实用新型]一种紫外发光二极管有效
申请号: | 201721776754.1 | 申请日: | 2017-12-19 |
公开(公告)号: | CN207800634U | 公开(公告)日: | 2018-08-31 |
发明(设计)人: | 林岳明 | 申请(专利权)人: | 扬州科讯威半导体有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/40;H01L33/00 |
代理公司: | 扬州润中专利代理事务所(普通合伙) 32315 | 代理人: | 谢东 |
地址: | 225000 江苏省扬州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光层 绝缘层 通孔 紫外发光二极管 电极 本实用新型 出光效率 光线传播 间隔开设 向下贯穿 电极端 电连接 光散射 外周面 反光 接线 绝缘 同侧 反射 延伸 覆盖 | ||
1.一种紫外发光二极管,其特征在于:包括发光层、位于发光层一侧的P型层以及位于发光层另一侧的N型层,所述P型层的表面设有裸露面,裸露面上设有与P型层电连接的P电极,P型层上间隔开设有若干通孔,所述各通孔从P型层向下贯穿发光层,所述各通孔内设有N电极,N电极的一端延伸出P型层形成N端电极,另一端与N型层电连接,所述N电极的外周面覆盖有第一绝缘层,第一绝缘层使N电极分别与P型层、发光层之间绝缘。
2.根据权利要求1所述的一种紫外发光二极管,其特征在于:相邻P电极与N电极之间的P型层裸露面上覆盖第二绝缘层,所述第二绝缘层使N电极与P电极绝缘。
3.根据权利要求2所述的一种紫外发光二极管,其特征在于:所述第一绝缘层和第二绝缘层均为SiO2绝缘层。
4.根据权利要求3所述的一种紫外发光二极管,其特征在于:所述第一绝缘层和第二绝缘层厚度均为50nm~200nm。
5.根据权利要求4所述的一种紫外发光二极管,其特征在于:所述通孔在P型层上周期性规则分布或随机分布,所述通孔为直径是200nm~5000nm的圆孔或截面内切圆是200nm~5000nm的方孔或三角孔或六角孔。
6.根据权利要求5所述的一种紫外发光二极管,其特征在于:所述P电极和N电极为Ni、Al、Ti、Au、Cr或Ag金属。
7.根据权利要求6所述的一种紫外发光二极管,其特征在于:所述N端电极的截面形状包括但不限于圆形、正方形、扇形以及叉指型,N端电极为Ni、Al、Ti、Au、Cr、Ag、Mg或Pd金属。
8.根据权利要求7所述的一种紫外发光二极管,其特征在于:所述P电极的截面形状包括但不限于圆形、正方形、扇形以及叉指型。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州科讯威半导体有限公司,未经扬州科讯威半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721776754.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:新型GaN基LED器件结构
- 下一篇:一种LED封装设备