[实用新型]一种超宽带中子探测器及基于超宽带中子探测器的干涉仪有效
申请号: | 201721680368.2 | 申请日: | 2017-12-06 |
公开(公告)号: | CN207717994U | 公开(公告)日: | 2018-08-10 |
发明(设计)人: | 易涛;苏明 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
主分类号: | G01T3/00 | 分类号: | G01T3/00;G01T3/08 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 郭德忠;仇蕾安 |
地址: | 621054*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属膜 中子探测器 超宽带 中子束 碘化铯层 材料层 质子 碳氢 半导体 半导体材料 折射率变化 高压电源 探测单元 自由电子 干涉仪 衬底 反冲 光学干涉测量 本实用新型 光学折射率 核辐射探测 电场作用 负极电性 强度信息 电镀 负高压 固定的 探测器 入射 转化 | ||
1.一种超宽带中子探测器,其特征在于,包括:由顺序固定的碳氢材料层(2)、碘化铯层(3)、半导体(4)和衬底(5)组成的探测单元、高压电源(7)及中子束(9);
在碳氢材料层(2)和衬底(5)的外表面上分别电镀第一金属膜(1)和第二金属膜(6);第一金属膜(1)与高压电源(7)的负极电性连接,因此,在第一金属膜(1)和第二金属膜(6)之间形成负高压的电场;
中子束(9)沿第一金属膜(1)法线方向入射到所述探测单元后,中子与碳氢材料层(2)中的质子发生碰撞,产生反冲质子,反冲质子进入碘化铯层(3)后产生电离效应,并产生自由电子;通过第一金属膜(1)和第二金属膜(6)之间负高压的电场作用将碘化铯层(3)中产生的自由电子注入到半导体(4)中,引起半导体(4)的光学折射率变化。
2.一种基于超宽带中子探测器的干涉仪,其特征在于,包括:权利要求1所述的中子探测器和光学系统;
所述光学系统用于测量中子探测器的半导体(4)的光学折射率的变化量,通过半导体(4)的折射率变化量得到碘化铯层(3)产生自由电子的数量,进而探测中子束强度。
3.如权利要求2所述的一种基于超宽带中子探测器的干涉仪,其特征在于,所述光学系统包括:位于中子探测器的衬底(5)所在侧的激光器(11)、分光棱镜(12)、反射镜(13)及光学探测器(14);
反射镜(13)和光学探测器(14)分别位于分光棱镜(12)的上、下两侧;中子探测器和激光器(11)分别位于分光棱镜(12)的左、右两侧;第二金属膜(6)上加工有信号孔(8);
所述分光棱镜(12)用于将激光器(11)发出的激光光束分为互相垂直的参考光束和探测光束(10),其中,参考光束被反射镜(13)反射后沿原路返回;探测光束(10)经过信号孔(8)并沿第二金属膜(6)法线方向垂直入射到所述探测单元后,被第一金属膜(1)反射后沿原路返回;反射回来的参考光束和探测光束(10)再次经过分光棱镜(12)后,在光学探测器(14)上形成干涉条纹;
所述光学探测器(14)用于记录所形成的干涉条纹;
依据所述干涉条纹的位移变化量获取所述半导体(4)的光学折射率的变化量,进而获取中子束的强度信息。
4.如权利要求3所述的一种基于超宽带中子探测器的干涉仪,其特征在于,通过改变所述中子探测器与分光棱镜(12)棱镜之间的距离,实现对探测光束(10)的光程调节。
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