[实用新型]一种超宽带中子探测器及基于超宽带中子探测器的干涉仪有效

专利信息
申请号: 201721680368.2 申请日: 2017-12-06
公开(公告)号: CN207717994U 公开(公告)日: 2018-08-10
发明(设计)人: 易涛;苏明 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
主分类号: G01T3/00 分类号: G01T3/00;G01T3/08
代理公司: 北京理工大学专利中心 11120 代理人: 郭德忠;仇蕾安
地址: 621054*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 金属膜 中子探测器 超宽带 中子束 碘化铯层 材料层 质子 碳氢 半导体 半导体材料 折射率变化 高压电源 探测单元 自由电子 干涉仪 衬底 反冲 光学干涉测量 本实用新型 光学折射率 核辐射探测 电场作用 负极电性 强度信息 电镀 负高压 固定的 探测器 入射 转化
【权利要求书】:

1.一种超宽带中子探测器,其特征在于,包括:由顺序固定的碳氢材料层(2)、碘化铯层(3)、半导体(4)和衬底(5)组成的探测单元、高压电源(7)及中子束(9);

在碳氢材料层(2)和衬底(5)的外表面上分别电镀第一金属膜(1)和第二金属膜(6);第一金属膜(1)与高压电源(7)的负极电性连接,因此,在第一金属膜(1)和第二金属膜(6)之间形成负高压的电场;

中子束(9)沿第一金属膜(1)法线方向入射到所述探测单元后,中子与碳氢材料层(2)中的质子发生碰撞,产生反冲质子,反冲质子进入碘化铯层(3)后产生电离效应,并产生自由电子;通过第一金属膜(1)和第二金属膜(6)之间负高压的电场作用将碘化铯层(3)中产生的自由电子注入到半导体(4)中,引起半导体(4)的光学折射率变化。

2.一种基于超宽带中子探测器的干涉仪,其特征在于,包括:权利要求1所述的中子探测器和光学系统;

所述光学系统用于测量中子探测器的半导体(4)的光学折射率的变化量,通过半导体(4)的折射率变化量得到碘化铯层(3)产生自由电子的数量,进而探测中子束强度。

3.如权利要求2所述的一种基于超宽带中子探测器的干涉仪,其特征在于,所述光学系统包括:位于中子探测器的衬底(5)所在侧的激光器(11)、分光棱镜(12)、反射镜(13)及光学探测器(14);

反射镜(13)和光学探测器(14)分别位于分光棱镜(12)的上、下两侧;中子探测器和激光器(11)分别位于分光棱镜(12)的左、右两侧;第二金属膜(6)上加工有信号孔(8);

所述分光棱镜(12)用于将激光器(11)发出的激光光束分为互相垂直的参考光束和探测光束(10),其中,参考光束被反射镜(13)反射后沿原路返回;探测光束(10)经过信号孔(8)并沿第二金属膜(6)法线方向垂直入射到所述探测单元后,被第一金属膜(1)反射后沿原路返回;反射回来的参考光束和探测光束(10)再次经过分光棱镜(12)后,在光学探测器(14)上形成干涉条纹;

所述光学探测器(14)用于记录所形成的干涉条纹;

依据所述干涉条纹的位移变化量获取所述半导体(4)的光学折射率的变化量,进而获取中子束的强度信息。

4.如权利要求3所述的一种基于超宽带中子探测器的干涉仪,其特征在于,通过改变所述中子探测器与分光棱镜(12)棱镜之间的距离,实现对探测光束(10)的光程调节。

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