[实用新型]清洗刷有效
申请号: | 201721561446.7 | 申请日: | 2017-11-20 |
公开(公告)号: | CN207558758U | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 王海宽;郭松辉;吴龙江;林宗贤;吕新强 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤 |
地址: | 223300 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 第一管道 清洗刷 本实用新型 第二管道 一端连接 凸起 清洗 半导体制造技术 传输气体 体内部 喷出 喷口 气源 刷体 洗刷 开口 传输 水源 | ||
本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种清洗刷。所述清洗刷,包括刷体、位于刷体表面的凸起以及设置于所述刷体内部的第一管道,还包括第二管道和第三管道;所述第二管道的一端与所述第一管道连接、另一端连接气源,用于向所述第一管道传输气体;所述第三管道的一端与所述第一管道连接、另一端连接水源,用于向所述第一管道传输水;所述水、所述气体依次进入所述第一管道并经所述第一管道上的开口从凸起上的喷口喷出。本实用新型实现了对清洗刷表面的彻底清洗,提高了清洗刷自身清洗的效率。
技术领域
本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种清洗刷。
背景技术
随着集成电路(Integrated Circuit,IC)制造技术的飞速发展,集成电路的特征尺寸(CD)不断减小,在一片半导体晶圆上,半导体器件的数量不断增加。为了满足半导体器件数量增多的要求,在一片半导体晶圆上往往包括多层结构的半导体器件,而相邻层的半导体器件通过金属互连结构实现电连接,从而在特定面积的芯片上增加半导体器件数量,提高半导体器件的集成度。
在多层半导体器件制备过程中,需要在半导体衬底上沉积不同的材料层,并通过化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing,CMP)等平坦化工艺去除部分厚度的材料层,以在控制各材料层厚度的同时,提高各材料层的表面平整度,进而提高后续形成的半导体器件的性能。而且,在化学机械研磨工艺之后,往往需要通过清洗刷清洗半导体晶圆,以去除在化学机械研磨过程中在半导体晶圆表面形成的研磨残留。
现有的清洗刷包括刷体以及设置于刷体表面上的多个凸起。所述凸起用于充当刷毛。晶圆清洗之前,将清洗刷固定于一晶圆的表面,并使得所述刷体的轴线投影穿过所述晶圆的圆心;晶圆清洗时,向所述晶圆表面喷射清洗液,所述刷体在马达的驱动下绕其轴线旋转,旋转过程中,所述凸起会压紧所述晶圆表面并与晶圆表面形成接触摩擦从而实现清洗。
清洗刷在进行完晶圆的清洗之后,其表面会累积颗粒污染物,当颗粒污染物累积到一定程度时,需要对清洗刷进行清洗。当前采用从所述清洗刷内部通水,并使得水从所述清洗刷上的开口流出的方式来清除所述刷体和/或所述凸起表面的颗粒污染物。但是,这种方式清洗效果较差,不能将颗粒污染物彻底的从刷体和/或凸起表面清除,这不仅会缩短清洗刷的使用寿命,而且还会影响晶圆产品的质量。
因此,如何提高清洗刷清洗自身的效率,延长清洗刷的使用寿命,是目前亟待解决的技术问题。
实用新型内容
本实用新型提供一种清洗刷,用以解决现有的清洗刷清洗自身的效率较差的问题,以延长清洗刷的使用寿命,同时提高晶圆产品的质量。
为了解决上述问题,本实用新型提供了一种清洗刷,包括刷体、设置于所述刷体表面的凸起以及设置于所述刷体内部的第一管道,所述第一管道上设置有多个开口,所述开口与所述凸起上的喷口连通;还包括第二管道和第三管道;所述第二管道的一端与所述第一管道连接、另一端连接气源,用于向所述第一管道传输气体;所述第三管道的一端与所述第一管道连接、另一端连接水源,用于向所述第一管道传输水;所述水、所述气体依次进入所述第一管道并经所述第一管道上的开口从所述喷口喷出。
优选的,进入所述第一管道的气体的气压大于或等于吹动所述第一管道内残留水需要的气压。
优选的,还包括第一阀门和第二阀门;所述第一阀门,安装于所述第一管道与所述第二管道之间,用于控制所述第一管道与所述第二管道之间是否连通;所述第二阀门,安装于所述第一管道与所述第三管道之间,用于控制所述第一管道与所述第三管道之间是否连通。
优选的,还包括控制器;所述控制器,连接所述第一阀门、所述第二阀门,用于分别控制所述第一阀门、所述第二阀门的状态。
优选的,所述控制器,还连接所述气源,用于控制所述气源以方波脉冲的方式向所述第二管道传输气体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造