[实用新型]一种窄边框产品侧边治具有效
申请号: | 201721478344.9 | 申请日: | 2017-11-08 |
公开(公告)号: | CN207602524U | 公开(公告)日: | 2018-07-10 |
发明(设计)人: | 肖红星 | 申请(专利权)人: | 湖北优尼科光电技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京集智东方知识产权代理有限公司 11578 | 代理人: | 张红;程立民 |
地址: | 432500 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 冶具 挡条 治具 预留间隙 机床体 窄边框 支撑柱 侧边 下端 破损 蚀刻 本实用新型 产品边缘 前端设置 使用寿命 蚀刻液 上端 工作台 下陷 槽深 叠片 过软 空胶 焊接 延伸 | ||
本实用新型属于冶具技术领域,公开了一种窄边框产品侧边治具,设置有机床体,所述机床体的前端设置有冶具槽,所述冶具槽的下端设置有工作台;所述冶具槽的上端安装有支撑柱,所述支撑柱的下端焊接有挡条;所述冶具槽的槽深为4.0mm,冶具槽的预留间隙为0.5mm‑1.0mm。冶具槽的槽深设为4.0mm,治具印不良比例明显减少;预留间隙0.5mm‑1.0mm时产品在蚀刻液中不容易发生叠片破损或者从挡条上脱落的现象;治具印的延伸较好;挡条采用软硬适宜的材质,既可以避免产品与挡条之间“硬碰硬”而导致的破损,也可以避免过软的材质让蚀刻后的产品下陷,造成产品边缘的空胶不良及降低了挡条的使用寿命。
技术领域
本实用新型属于治具技术领域,公开了一种窄边框产品侧边治具。
背景技术
治具印不良主要由生产治具产生的,而侧挡条和底部挡条就属于治具的一部分,挡条在蚀刻的过程中用于支撑并固定产品,使产品不因强烈的鼓气而破损;但由于产品在蚀刻液中不断的发生反应,且因鼓气而发生抖动,产品的边缘会在这个过程反复与挡条接触碰撞,从而形成治具印;又由于强烈的鼓气带动蚀刻液冲刷产品,产品与挡条的接触点会形成局部强烈的涡流,造成局部冲刷量大,速率高,形成延伸的治具晕,所以根除治具印不良目前无法做到(产品必须与挡条有接触);但是可以通过挡条的设计提升良率。
挡条的设计关键工艺参数在于①开槽深度;②开槽角度,挡条使用过程的倾斜方向及倾斜角度,③材质。挡条产品插入槽的槽深,影响到治具印不良比例,其中槽深过深,治具印越长,反而升高了不良,槽深过浅,极易导致产品在蚀刻液中发生叠片破损甚至直接从挡条上脱落;开槽角度影响到产品叠片破损风险,开槽角度过大,产品容易滑落,造成叠片破损,开槽角度过小,局部涡流变强,产品与挡条接触碰撞频繁,升高不良比例,挡条倾斜方向及倾斜角度影响治具印不良比例挡条的倾斜方向若顺着蚀刻液的流动方向,将最大限度降低涡流的流速,降低治具印的延伸;材质太硬容易导致产品破损,太软容易造成空胶渗液。
综上所述,现有技术存在的问题是:挡条设计过程中,槽深过深,升高了不良,槽深过浅,极易导致产品在蚀刻液中发生叠片破损甚至直接从挡条上脱落;开槽角度过大,产品容易滑落,造成叠片破损,开槽角度过小,产品与挡条接触碰撞频繁,升高不良比例;挡条倾斜方向及倾斜角度若顺着蚀刻液的流动方向,会降低治具印的延伸;材质太硬容易导致产品破损,太软容易造成空胶渗液。
发明内容
针对现有技术存在的问题,本实用新型提供了一种窄边框产品侧边治具。
本实用新型是这样实现的,窄边框产品侧边治具设置有机床体,所述机床体的前端设置有冶具槽,所述冶具槽的下端设置有工作台;
所述冶具槽的上端安装有支撑柱,所述支撑柱的下端焊接有挡条;
所述冶具槽的槽深为4.0mm,冶具槽的预留间隙为0.5mm-1.0mm。
进一步,所述工作台的表面设置有压力传感器,所述支撑柱的上端齿接有液压装置,所述压力传感器与液压装置电连接。
进一步,所述挡条的表面设置有刻蚀槽。
本实用新型具有的优点和积极技术效果是:冶具槽的槽深设为4.0mm,治具印不良比例明显减少;预留间隙0.5mm-1.0mm时产品在蚀刻液中不容易发生叠片破损或者从挡条上脱落的现象;治具印的延伸较好;挡条采用软硬适宜的材质,既可以避免产品与挡条之间“硬碰硬”而导致的破损,也可以避免过软的材质让蚀刻后的产品下陷,造成产品边缘的空胶不良及降低了挡条的使用寿命。
附图说明
图1是本实用新型实施例提供的窄边框产品侧边治具的结构示意图;
图中:1、机床体;2、冶具槽;3、挡条;4、支撑柱;5、工作台。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造