[实用新型]一种显示面板及装置

说明书

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及装置，所述显示面板包括：呈矩阵式排布的多个像素结构；其中，每个像素结构中包含第一薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管的端电极分别连接有不同的金属线，至少一个端电极与相应金属线的连接接触面积大于接触面在面板上的正投影的面积。本方案用以降低像素驱动电路中薄膜晶体管与金属线之间的接触电阻，从而减小薄膜晶体管对电流的阻碍作用，缓解金属线上的压降现象，提高有效功率，改善显示面板整体亮度不均的问题。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及装置。

背景技术

在显示技术领域，对于尺寸较大的有机发光二极管(Organic Light-EmittingDiode,OLED)显示屏，通电时金属线上存在压降现象，即靠近IC处金属线电压较高，远离IC处金属线电压较低，金属线可以包括：数据线、电源线、扫描线等。该压降现象使得靠近IC处的像素点较亮，远离IC处的像素点较暗。

具体的，现有技术中TFT(Thin Film Transistor)电路如图1所示，Dm数据线和VDD电源线上连接有多个TFT电路，由于金属线较长较细，导致数据线上的压降现象较为明显，由此远离IC的TFT电路与Dm连接点的电压小于靠近IC的TFT电路与Dm连接点的电压，远离IC的TFT电路与VDD连接点的电压小于靠近IC的TFT电路与VDD连接点的电压。图1中M1和M2为金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)，MOSFET中包括源极、漏极和栅极，以NMOS管为例，当栅极与源极的电压差大于阈值电压时，源极与漏极导通，通常情况下，栅极与源极的电压差越大，源极与漏极之间的电阻越小。

具体地，当Sn存在电压使M2开启时，M2中源极与漏极导通，使A点存在电压，从而开启M1。由于压降现象的存在，远离IC的TFT电路中的A点电压小于靠近IC的TFT电路中的A点电压，由此导致远离IC的TFT电路中的M1电阻大于靠近IC的TFT电路中的M1电阻。另外，在OLED显示屏上，多个TFT电路并联于VDD干路，由于靠近IC的TFT支路分流干路电流，使远离IC的TFT电路中电流小于靠近IC的TFT电路中电流。

由于远离IC的TFT电路中的M1电阻大于靠近IC的TFT电路中的M1电阻，且远离IC的TFT电路中电流小于靠近IC的TFT电路中电流，因此，通电时，远离IC的像素点比靠近IC的像素点暗。

实用新型内容

本申请实施例提供一种显示面板及装置，用以降低TFT电路中的电阻，缓解金属线上的压降现象，从而缓解显示面板整体亮度不均的问题。

本申请实施例采用下述技术方案：

一种显示面板，包括：呈矩阵式排布的多个像素结构；其中，每个像素结构中包含第一薄膜晶体管；

所述第一薄膜晶体管的端电极分别连接有不同的金属线，至少一个端电极与相应金属线的连接接触面积大于接触面在面板上的正投影的面积。

优选的，所述至少一个端电极中包括：输入端电极和输出端电极；

连接所述输入端电极的金属线为电源线；连接所述输出端的金属线与像素结构的阳极相连。

优选的，上述显示面板还包括：至少一个第二薄膜晶体管；

所述第二薄膜晶体管的端电极分别连接有不同的金属线，至少一个端电极与相应金属线的连接接触面积大于接触面在面板上的正投影的面积。

优选的，所述第二薄膜晶体管中的至少一个端电极中包括：输入端电极和输出端电极；

连接所述输入端电极的金属线为数据线；所述输出端电极通过金属线与第一薄膜晶体管的控制端相连。

优选的，所述至少一个端电极中还包括：控制端电极；