[实用新型]一种器件封装结构

说明书

本实用新型提供的一种器件封装结构，包括通过快速成型技术形成的金属层、倒装芯片、塑封体；所述倒装芯片安装于所述金属层上，所述塑封体包裹所述倒装芯片和除所述金属层底面之外的部分所述金属层；所述金属层和所述倒装芯片形成连通电路。本实用新型通过快速成型技术形成的金属层代替了传统技术中电镀技术形成的金属层，避免了产生金属毛刺、加工复杂和环境污染的问题，而且，采用金属层的结构，在最终形成的器件封装结构中去除基板也能实现电气连接，使得器件封装结构能够做得更薄。

技术领域

本实用新型涉及器件封装技术领域，尤其涉及一种器件封装结构。

背景技术

传统技术中，IC倒装芯片与外部电路的连接是通过金属引线键合(Wire Bonding)的方式实现。

LED(light emitting diode)，即发光二极管，作为新型高效固体光源，具有长寿命、节能、绿色环保等显著优点，是人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次飞跃，被认为是第3代的照明新技术，其经济和社会意义巨大。

传统LED产品的倒装封装方式是通过在基板上电镀一层金属层，然后将金属层腐蚀出一定的图案，然后将LED倒装芯片倒装在金属层上。然后在倒装芯片表面覆盖符合要求的封装胶体并固化，完成整个LED倒装芯片的倒装封装流程。

然而，这种倒装LED器件封装方法，第一个方面是带有基板，造成封装完的结构厚度大，难以符合如今产品做薄的需求；第二个方面是现有的LED器件封装方法通常在基板上电镀金属层，这样的金属层由于是电镀出来的，因此金属层边缘会产生大量毛刺，容易损伤电子元件和降低效率，并且采用电镀方式制备金属层时，在一片基板上生成多片小金属层会造成小金属层之间或小金属层与其他单元有金属连接，后期处理麻烦，批量生产的时候造成工艺复杂；最后，电镀还是对环境有害的工艺，产生大量电镀液，造成环境污染。

因此，现有的器件封装结构厚度大、金属层边缘有大量毛刺、金属连接处理麻烦、造成环境污染是本领域技术人员需要解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型提供了一种器件封装结构，用于解决现有的器件封装结构厚度大、金属层边缘有大量毛刺、金属连接处理麻烦、造成环境污染的技术问题。

本实用新型提供的一种器件封装结构，包括通过快速成型技术形成的金属层、倒装芯片和塑封体；

所述倒装芯片安装于所述金属层上，所述塑封体包裹所述倒装芯片和除所述金属层底面之外的部分所述金属层；

所述金属层和所述倒装芯片形成连通电路。

优选地，所述金属层具体分为若干个独立金属单元，各个独立金属单元之间无任何连接。

优选地，所述独立金属单元具体为倒梯形结构。

优选地，所述金属层的厚度为0.015mm至2.0mm。

优选地，所述金属层的厚度为0.015mm至1.0mm。

优选地，所述器件封装结构的厚度为0.15mm至3.0mm。

优选地，所述金属层为单层结构。

优选地，所述金属层具体为采用可焊性材料制成的单质金属层，使得倒装芯片能焊接在金属层上。

优选地，所述金属层具体为金层或者银层。

从以上技术方案可以看出，本实用新型实施例具有以下优点：