[实用新型]一种太阳能电池背钝化监测装置有效
申请号: | 201721346398.X | 申请日: | 2017-10-17 |
公开(公告)号: | CN207529957U | 公开(公告)日: | 2018-06-22 |
发明(设计)人: | 吴泓;冯婧婧;何志富;朱波兴;何晨旭;李景龙 | 申请(专利权)人: | 浙江昱辉阳光能源江苏有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/66 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 任立 |
地址: | 214203 江苏省无锡市江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传输组件 测试台 升降组件 钝化 太阳能电池 监测装置 少子寿命 椭偏仪 硅片少子寿命 自动控制系统 本实用新型 氮化硅薄膜 工作工位 在线测量 钝化膜 氧化铝 折射率 工位 齐平 沉积 太阳能 穿过 制造 生产 | ||
本实用新型公开了一种太阳能电池背钝化监测装置,涉及太阳能生产制造领域,包括少子寿命仪和椭偏仪,还包括传输组件、测试台和升降组件,少子寿命仪和椭偏仪设于传输组件上方且连接有自动控制系统,升降组件固定于测试台的底部,测试台设于传输组件下方,传输组件穿过测试台,当升降组件处于初始工位时,传输组件顶部与测试台顶部齐平,当升降组件处于工作工位时,传输组件顶部低于测试台顶部。该装置在氧化铝、氮化硅薄膜沉积后,实现在线测量背钝化膜的厚度、折射率,以及钝化后的硅片少子寿命的目的。
技术领域
本实用新型涉及太阳能生产制造领域,特别是涉及一种太阳能电池背钝化监测装置。
背景技术
太阳能电池生产过程中需要对氮化硅抗反射膜层的厚度、折射率进行监控。传统晶硅太阳能电池产线设置离线式膜厚测量仪,定期检测氮化硅抗反射层的厚度和折射率。对镀膜后的硅片少子寿命也采用抽取样品、离线测量的方式。这种检测方法需要操作人员定期从量产在制品中挑选样品,手动测量膜厚、折射率、少子寿命后再将样品放回产线。
随着光伏技术的发展,新型背钝化技术越来越受到重视。目前背钝化层通常为氧化铝和氮化硅复合结构,氧化铝和氮化硅的厚度、折射率匹配对少子寿命、光电转化效率影响很大,是高效背钝化电池生产的关键工序之一。传统离线人工挑选方式容易造成破片,测量速度慢,样本选取存在主观性,很难满足大批量生产时对双钝化层和少子寿命的监控要求。
申请公布号为CN102543790A的中国发明专利公开了一种在绒面硅片表面测量氮化硅膜厚的方法,其利用椭偏仪测量氮化硅膜折射率,同时利用反射率仪测量硅片表面反射率,再利用折射率和反射率计算得出氮化硅膜厚。该方法可实现在绒面表面测量氮化硅膜厚,但不能同时精确测量氧化铝、氮化硅两种膜厚和折射率。
实用新型内容
本实用新型针对上述技术问题,克服现有技术的缺点,提供一种太阳能电池背钝化监测装置,在氧化铝、氮化硅薄膜沉积后,实现在线测量背钝化膜的厚度、折射率,以及钝化后的硅片少子寿命的目的。
为了解决以上技术问题,本实用新型提供一种太阳能电池背钝化监测装置,包括少子寿命仪和椭偏仪,还包括传输组件、测试台和升降组件,少子寿命仪和椭偏仪设于传输组件上方且连接有自动控制系统,升降组件固定于测试台的底部,测试台设于传输组件下方,传输组件穿过测试台,当升降组件处于初始工位时,传输组件顶部与测试台顶部齐平,当升降组件处于工作工位时,传输组件顶部低于测试台顶部。
技术效果:本实用新型在产线传输带上集成升降组件、椭偏仪、少子寿命仪,在氧化铝、氮化硅薄膜沉积后,实现在线测量背钝化膜的厚度、折射率,以及钝化后的硅片少子寿命。相比离线测试手段,本实用新型可以在电池片传输过程中自动、同时测量氧化铝和氮化硅的膜厚和折射率,结合少子寿命测量结果,模拟出太阳能电池转化效率和输出功率,完善了产线工艺质量监控系统。此外,检测过程为无接触式,降低了手动取片带来的破片风险。
本实用新型进一步限定的技术方案是:
进一步的,少子寿命仪设于测试台的正上方,椭偏仪设于测试台的斜上方。
前所述的一种太阳能电池背钝化监测装置,测试台表面设有两条平行的传输槽,传输组件包括两根平行设置且同步运动的传输带,传输带分别穿过传输槽,传输槽的深度大于传输带的厚度。
前所述的一种太阳能电池背钝化监测装置,升降组件包括若干驱动气缸,驱动气缸对称设于测试台底部且位于传输带两侧。
本实用新型的有益效果是:
(1)本实用新型将少子寿命仪设于测试台正上方,而椭偏仪设于测试台斜上方,由此少子寿命仪与椭偏仪不会相互影响,保证正常工作;
(2)本实用新型通过升降组件实现电池片从传输带到测试台再到传输带之间的传递,利用气缸驱动测试台,启动性好且运行稳定;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的