[实用新型]一种生长在衬底上的低应力状态单晶AlN有效
| 申请号： | 201721074397.4 | 申请日： | 2017-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN207218649U | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 李国强;李洁;朱运农;张子辰;刘国荣 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/05;H03H9/145;H03H9/25 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 陈智英 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 生长 衬底 应力 状态 aln | ||
【权利要求书】：
1.生长在衬底上的低应力状态单晶AlN薄膜，其特征在于：包括衬底、生长在衬底上的外延AlN单晶薄膜层、沟槽；所述沟槽设在外延AlN单晶薄膜层上，并将外延AlN单晶薄膜层分隔成若干区域，使得AlN薄膜层覆盖部分衬底；所述外延AlN薄膜层上以及沟槽中设有应力补偿层。
2.根据权利要求1所述生长在衬底上的低应力状态单晶AlN薄膜，其特征在于：所述若干区域是指若干独立区域。
3.根据权利要求1所述生长在衬底上的低应力状态单晶AlN薄膜，其特征在于：所述沟槽所形成的图案为网格型、十字型、环形或长条型。
4.根据权利要求1所述生长在衬底上的低应力状态单晶AlN薄膜，其特征在于：所述外延AlN单晶薄膜层的厚度为1-3μm，所述应力补偿层为0.1-1μm；
所述沟槽的深度≥外延AlN单晶薄膜层的厚度。
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