[实用新型]存储器及半导体器件

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底内的多个呈线性排布且沿第一方向延伸的有源区串连；

位于所述衬底内的多条字线与多条虚置字线，至少一条所述字线与至少一条所述虚置字线交替间隔排布并贯穿所述有源区串连，所述字线与所述虚置字线呈线性排布且沿与所述第一方向相交的第二方向延伸，所述有源区串连包含多个有源区，所述有源区的两端由所述虚置字线界定；

位于两相邻的所述字线之间的有源区上的位线接触部、位于所述位线接触部上的沿第三方向延伸的位线、位于所述位线两侧且在相邻的所述字线与所述虚置字线之间的有源区上的存储节点接触部；以及

位于所述存储节点接触部上的存储电容。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，相邻的多个所述存储电容排布成六方最密排布，在正六边形的角偶各配置有一个所述存储电容，正六边形的中心包围一个所述存储电容。

3.如权利要求1或2所述的存储器，其特征在于，所述第一方向与第三方向的夹角为15°～35°，所述第二方向与所述第三方向相垂直。

4.如权利要求1或2所述的存储器，其特征在于，所述虚置字线与所述字线具有相同结构和相同在所述衬底内的沉置深度。

5.如权利要求1或2所述的存储器，其特征在于，相邻的两条虚置字线之间排布有两条所述字线。

6.如权利要求1或2所述的存储器，其特征在于，所述虚置字线的控制电压的范围为：-1.5v～0v。

7.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底内的多个呈线性排布且沿第一方向延伸的有源区串连；

位于所述衬底内的多条第一导体线与多条虚置第一导体线，至少一条所述第一导体线与至少一条所述虚置第一导体线交替间隔排布并贯穿所述有源区串连，所述第一导体线与所述虚置第一导体线呈线性排布且沿与所述第一方向相交的第二方向延伸，所述有源区串连包含多个有源区，所述有源区的两端由所述虚置第一导体线界定；

位于两相邻的所述第一导体线之间的有源区上的第一接触部、位于所述第一接触部上的沿第三方向延伸的第二导体线、位于所述第二导体线两侧且在相邻的所述第一导体线与所述虚置第一导体线之间的有源区上的第二接触部；以及

位于所述第二接触部上的存储电容。