[实用新型]基板处理装置有效
| 申请号: | 201721008841.2 | 申请日: | 2017-08-11 |
| 公开(公告)号: | CN207381369U | 公开(公告)日: | 2018-05-18 |
| 发明(设计)人: | 富藤幸雄 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;崔炳哲 |
| 地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 | ||
本实用新型是即使是大型的基板也能够充分抑制其带电的基板处理装置。基板处理装置(100)具备:载置部(42),供载置基板(5);腔室(41),将载置在加热板(42)上的基板(5)的周围覆盖,并且形成有用于搬入基板(5)的搬入口(7);搬运机械手(3),具有支撑基板(5)的手部(33),将由手部(33)支撑的基板(5)经由搬入口(7)搬入至腔室(41)内;以及电离器(6),向从搬入口(7)的外侧朝向腔室(41)的方向喷射离子化的气体。
技术领域
本实用新型涉及基板处理装置,特别是涉及具备向液晶显示装置用玻璃 基板等基板喷射已被离子化的气体(以下,称为离子化气体)的电离器的基 板处理装置。
背景技术
作为具备电离器的基板处理装置,已知专利文献1至3记载的基板处理 装置。电离器向由玻璃那样的绝缘体构成的基板喷射离子化气体,对基板的 带电进行中和,抑制静电的产生。在专利文献1(日本特开平8-97121号公 报)的例如段落0015、图1中,记载了在具有加热板的加热单元向基板喷射 离子化气体的基板处理装置。在专利文献2(日本特开平9-213597号公报) 的例如段落0019、图1中,记载了在具有冷却板的冷却单元向基板喷射离子化气体的基板处理装置。在专利文献3(日本特开2001-7019号公报)的例 如段落0007、图2中,记载了从电离器向用于搬运基板的搬运机械手的移动 区域喷射离子化气体的基板处理装置。
近年来,也存在用于液晶显示装置等的矩形状的玻璃基板为一边超过2m 的基板。而且,存在基板进一步大型化的倾向。对于这种大型基板,即使如 专利文献1和2所记载那样,在基板处理装置内喷射离子化气体,也会产生 无法充分抑制基板带电的问题。另外,即使如专利文献3所记载那样,向搬 运途中的基板喷射离子化气体,也会产生无法充分抑制基板带电的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于,鉴于上述方面,提供即使是大型的基板也能够 充分抑制其带电的基板处理装置。
本实用新型的基板处理装置的一个方式,具备:载置部,供载置基板; 腔室,将载置在载置部上的基板的周围覆盖,并且形成有用于搬入基板的搬 入口;搬运机械手,具有支撑基板的手部,将由手部支撑的基板经由搬入口 搬入至腔室内;以及电离器,向从搬入口的外侧朝向腔室内的方向喷射离子 化的气体。
本实用新型的另一方式,在上述基板处理装置中,电离器向由手部支撑 的基板以及随后由载置部载置的基板持续喷射离子化的气体。
本实用新型的另一方式,在上述基板处理装置中,搬入口也兼作由搬运 机械手将基板搬出至腔室外的搬出口,电离器在从载置部搬出所述基板时, 也向由手部支撑的基板喷射离子化的气体。
本实用新型的另一方式,在上述基板处理装置中,载置部具有对被载置 的基板进行加热的加热板。
本实用新型的另一方式,在上述基板处理装置中,载置部具有对被载置 的基板进行冷却的冷却板。
根据上述任一方式的结构,即使是大型的基板,也能够充分抑制其带电。
附图说明
图1是表示作为本实用新型的一实施方式的基板处理装置的概略俯视 图。
图2A、图2B、图2C是表示实施方式的动作的概略侧视图。
其中,附图标记说明如下:
3 搬运机械手
4 热处理单元
5 基板
6 电离器
7 搬入口
33 手部
41 腔室
42 加热板
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





