[实用新型]一种刻蚀机去水气装置的升降机构有效
申请号: | 201720968082.8 | 申请日: | 2017-08-04 |
公开(公告)号: | CN207353206U | 公开(公告)日: | 2018-05-11 |
发明(设计)人: | 严攀 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 杨立;李蕾 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 刻蚀 水气 装置 升降 机构 | ||
1.一种刻蚀机去水气装置的升降机构,其特征在于,包括去水气装置本体(1)、双作用气缸(4)和晶元压头(5);
所述去水气装置本体(1)内部具有竖直设置并可上下移动的滑杆(11);
所述双作用气缸(4)竖向设置,其缸体(41)通过连接件(3)安装在所述水气装置本体(1)的下端,所述双作用气缸(4)内具有与所述滑杆(11)同轴设置的伸缩臂(42);
所述伸缩臂(42)的上端通过高度可调的连接组件(2)与所述滑杆(11)的下端连接;
所述晶元压头(5)安装在所述伸缩臂(42)的下端端部,所述晶元压头(5)随所述伸缩臂(42)上下移动。
2.根据权利要求1所述的刻蚀机去水气装置的升降机构,其特征在于,所述连接件(3)包括多根间隔均匀且环状分布于所述水气装置本体(1)的下端的拉杆,每根所述拉杆下端均与所述缸体(41)的上端连接。
3.根据权利要求1所述的刻蚀机去水气装置的升降机构,其特征在于,所述连接组件包括连接头(21)和浮动接头(22),所述连接头(21)上端与所述滑杆(11)的下端连接,所述连接头(21)的下端与所述浮动接头(22)的上端连接。
4.根据权利要求3所述的刻蚀机去水气装置的升降机构,其特征在于,所述浮动接头(22)上端端部沿轴向设有螺孔,所述连接头(21)为圆柱体形,其下端外周上设有与浮动接头(22)上端螺孔相配合的外螺纹,所述连接头(21)的下端螺纹安装在所述浮动接头(22)上端的螺孔内,所述连接头(21)与所述浮动接头(22)连接处之间还套设有用以调节所述连接头(21)下端与浮动接头(22)上端螺孔连接深度的第一垫圈(23)。
5.根据权利要求4所述的刻蚀机去水气装置的升降机构,其特征在于, 还包括限位抵接组件,所述限位抵接组件设置于所述缸体下端,
所述晶元压头(5)侧壁中部环设有与所述限位抵接组件(6)相配合的环形的限位块(51);
所述限位抵接组件(6)包括自上向下依次固定在所述缸体(41)下端端部的抵接块(61)和第二垫圈(62),所述抵接块(61)中部设有供所述伸缩臂(42)的下端穿过的通孔;
所述伸缩臂(42)向上移动时,带动所述晶元压头(5)上升至所述限位块(51)与所述抵接块(61)抵接。
6.根据权利要求4所述的刻蚀机去水气装置的升降机构,其特征在于,还包括限位抵接组件,所述限位抵接组件(6)包括旋钮(63)和螺帽(64)组成,所述旋钮(63)为上端开口的中空圆柱体,其底端同轴设有与所述晶元压头(5)相配合的通孔,所述晶元压头(5)为圆柱形,其外周上设置有外螺纹,所述通孔内壁设有与所述晶元压头(5)外螺纹相配合的内螺纹,所述旋钮(63)螺纹安装在所述晶元压头(5)外周上,所述螺帽(64)螺纹安装在所述晶元压头(5)的下端外周上,并与所述旋钮(63)的下端抵接。
7.根据权利要求5或6中任一项所述的刻蚀机去水气装置的升降机构,其特征在于,所述浮动接头(22)的侧壁的中部环设有凸块,所述浮动接头(22)随伸缩臂(42)向下运动过程中所述凸块的下端面与缸体(41)上端抵接。
8.根据权利要求7所述的刻蚀机去水气装置的升降机构,其特征在于,所述伸缩臂(42)的伸缩长度为8-12mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造